发明名称 电阻膏、电阻体、以及电子元件
摘要 一种电阻膏系将大体上不含铅的第一玻璃组成物、组成与前述第一玻璃组成物相异的大体上不含铅的第二玻璃组成物、及大体上不含铅的导电性材料,与有机漆料混合而成,其中除第一玻璃组成物及第二玻璃组成物外,更包括以氧化铜(CuO)为添加物。在前述第一玻璃组成物中,氧化锌(ZnO)含量为10莫尔%以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)所组成之族群中至少一个含量不足10莫尔%(包含0)。在前述第二玻璃组成物中,氧化锰(MnO)含量为5莫尔%以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)所组成之族群中至少一个含量为10莫尔%以上。设导电性材料、第一玻璃组成物、第二玻璃组成物及添加物的总粉末体积为100,前述第一玻璃组成物与前述第二玻璃组成物的总体积比率系为65~89体积%,前述导电性材料之体积比率系为8~33体积%。本发明所提供的无铅电阻膏形成于以钛酸钡为主成分的介电质基板上时,可得到兼具既定之低电阻值以及电阻值之温度特性(温度系数(TCR))及可靠性特性(耐焊剂性)较佳的电阻体。
申请公布号 TWI293466 申请公布日期 2008.02.11
申请号 TW092132688 申请日期 2003.11.21
申请人 TDK股份有限公司 发明人 田中博文;五十岚克彦
分类号 H01B1/22(2006.01);H01C7/00(2006.01);C03C8/22(2006.01) 主分类号 H01B1/22(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种电阻膏,将大体上不含铅的第一玻璃组成物 、组成与前述第一玻璃组成物相异的大体上不含 铅的第二玻璃组成物、及大体上不含铅的导电性 材料,与有机漆料混合而成, 其特征在于: 除前述第一玻璃组成物及前述第二玻璃组成物外, 更包括以氧化铜(CuO)为添加物; 在前述第一玻璃组成物中,氧化锌(ZnO)含量为10莫 尔%以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡( BaO)所组成之族群中至少一个含量不足10莫尔%(包 含0); 在前述第二玻璃组成物中,氧化锰(MnO)含量为5莫尔 %以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO )所组成之族群中至少一个含量为10莫尔%以上;以 及 设前述导电性材料、前述第一玻璃组成物、前述 第二玻璃组成物及前述添加物的总粉末体积为100, 前述第一玻璃组成物与前述第二玻璃组成物的总 体积比率系为65-89体积%,前述导电性材料之体积比 率系为8-33体积%。 2.如申请专利范围第1项所述的电阻膏,其中前述第 一玻璃组成物中,氧化锌含量为10莫尔%以上至40莫 尔%以下、三氧化二硼(B2O3)含量为1莫尔%以上至40 莫尔%以下、二氧化矽(SiO2)含量为15莫尔%以上至60 莫尔%以下、选自氧化钙、氧化锶、氧化钡所组成 之族群至少一个含量不足10莫尔%(包含0)、其他任 意第一氧化物总含量为30莫尔%以下(包含0),前述第 二玻璃组成物中,氧化锰含量为5莫尔%以上至20莫 尔%以下、选自氧化钙、氧化锶、氧化钡所组成之 族群至少一个含量为10莫尔%以上至40莫尔%以下、 三氧化二硼含量为5莫尔%以上至40莫尔%以下、二 氧化矽含量为15莫尔%以上至55莫尔%以下、其他任 意第二氧化物总含量为20莫尔%以下(包含0)。 3.如申请专利范围第1或2项所述的电阻膏,其中前 述电阻膏所含有之前述第一玻璃组成物与前述第 二玻璃组成物的体积比为8:2-2:8。 4.如申请专利范围第1或2项所述的电阻膏,其中除 前述第一玻璃组成物及前述第二玻璃组成物外,更 包括以氧化铜作为前述添加物,其中氧化铜的体积 添加比率相对于前述导电性材料、前述第一玻璃 组成物、前述第二玻璃组成物及前述添加物之总 粉末体积而言,是超过0体积%至5体积%以下。 5.如申请专利范围第1或2项所述的电阻膏,其中前 述添加物更包括二氧化锰(MnO2)及/或二氧化钛(TiO2) ,且二氧化锰及/或二氧化钛的总体积添加比率相 对于前述导电性材料、前述第一玻璃组成物、前 述第二玻璃组成物及前述添加物之总粉末体积而 言,为0体积%以上至5体积%以下。 6.如申请专利范围第5项所述的电阻膏,其中前述添 加物相对于前述导电性材料、前述第一玻璃组成 物、前述第二玻璃组成物及前述添加物之总粉末 体积而言,所含之氧化铜为1体积%以上至3体积%以 下、二氧化锰为0体积%以上至5体积%以下。 7.一种电阻膏,将大体上不含铅的第一玻璃组成物 、组成与前述第一玻璃组成物相异的大体上不含 铅的第二玻璃组成物、及大体上不含铅的导电性 材料,与有机漆料混合而成, 其特征在于: 除前述第一玻璃组成物及前述第二玻璃组成物外, 更包括以氧化铜(CuO)为添加物; 在前述第一玻璃组成物中,氧化锌(ZnO)含量为10莫 尔%以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡( BaO)所组成之族群中至少一个含量不足10莫尔%(包 含0); 在前述第二玻璃组成物中,氧化锰(MnO)含量为5莫尔 %以上,且选自氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO )所组成之族群中至少一个含量为10莫尔%以上;以 及 设前述导电性材料、前述第一玻璃组成物、前述 第二玻璃组成物及前述添加物的总粉末重量为100, 前述第一玻璃组成物与前述第二玻璃组成物的总 重量比率系为41.55-77.37重量%,前述导电性材料之重 量比率系为18.41-55.36重量%。 8.如申请专利范围第7项所述的电阻膏,其中前述第 一玻璃组成物中,氧化锌含量为10莫尔%以上至40莫 尔%以下、三氧化二硼(B2O3)含量为1莫尔%以上至40 莫尔%以下、二氧化矽(SiO2)含量为15莫尔%以上至60 莫尔%以下、选自氧化钙、氧化锶、氧化钡所组成 之族群至少一个含量不足10莫尔%(包含0)、其他任 意第一氧化物总含量为30莫尔%以下(包含0),前述第 二玻璃组成物中,氧化锰含量为5莫尔%以上至20莫 尔%以下、选自氧化钙、氧化锶、氧化钡所组成之 族群至少一个含量为10莫尔%以上至40莫尔%以下、 三氧化二硼含量为5莫尔%以上至40莫尔%以下、二 氧化矽含量为15莫尔%以上至55莫尔%以下、其他任 意第二氧化物总含量为20莫尔%以下(包含0)。 9.如申请专利范围第7或8项所述的电阻膏,其中前 述电阻膏所含有之前述第一玻璃组成物与前述第 二玻璃组成物的重量比为7.8:2.2-1.8:8.2。 10.如申请专利范围第7或8项所述的电阻膏,其中除 前述第一玻璃组成物及前述第二玻璃组成物外,更 包括以氧化铜作为添加物,其中氧化铜的重量添加 比率相对于导电性材料、第一玻璃组成物、第二 玻璃组成物及添加物之总粉末重量而言,是0-4.23重 量%(除0重量%外)。 11.如申请专利范围第7或8项所述的电阻膏,其中前 述添加物更包括二氧化锰(MnO2)及/或二氧化钛(TiO2) ,且二氧化锰及/或二氧化钛的总重量添加比率相 对于导电性材料、第一玻璃组成物、第二玻璃组 成物及添加物之总粉末重量而言,为0-7.25重量%。 12.如申请专利范围第11项所述的电阻膏,其中前述 添加物相对于前述导电性材料、前述第一玻璃组 成物、前述第二玻璃组成物及前述添加物之总粉 末重量而言,所含之氧化铜为1.71-3.59重量%、二氧 化锰为0-7.25重量%。 13.如申请专利范围第2或8项所述的电阻膏,其中前 述第一玻璃组成物中,其他任意第一氧化物系选自 三氧化二铝(Al2O3)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、二 氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、三氧化二铋(Bi2O3)、五 氧化二磷(P2O5)、二氧化钛(TiO2)、氧化铜(CuO)、氧 化钴(CoO)、五氧化二钒(V2O5)所组成之族群至少一 个,前述第一氧化物之总和相对于前述第一玻璃组 成物之全体莫尔%而言系为29莫尔%以下(包含0)。 14.如申请专利范围第2或8项所述的电阻膏,其中前 述第二玻璃组成物中,其他任意第二氧化物系选自 三氧化二铝(Al2O3)、二氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO)、 氧化镁(MgO)、三氧化二铋(Bi2O3)、二氧化钛(TiO2)、 氧化铜(CuO)、氧化钴(CoO)、五氧化二钒(V2O5)所组成 之族群至少一个,前述第二氧化物之总和相对于第 二玻璃组成物之全体莫尔%而言系为20莫尔%以下( 包含0)。 15.如申请专利范围第1或7项所述的电阻膏,其中前 述导电性材料系为二氧化钌(RuO2)或钌的复合氧化 物。 16.如申请专利范围第1或7项所述的电阻膏,其中前 述导电性材料、前述第一玻璃组成物、前述第二 玻璃组成物及前述添加物的总粉末重量与前述有 机漆料的重量比系在1:0.25-1:4的范围内。 17.一种电阻体,使用如申请专利范围第1或7项所述 的电阻膏所形成。 18.一种电子元件,具有如申请专利范围第17项所述 的电阻体。 图式简单说明: 第1图系绘示本发明一较佳实施例之作为具有电阻 体的电子元件的绝缘装置的分解斜视图。
地址 日本