一种影像直接写入在光阻上期间延长该光阻稳定性之方法

摘要

于光阻制造中，通常藉由一保护但具传导性材料之一薄涂层(表涂层)以过度涂布该光阻之方式而消除、或至少充分地减少一化学放大型光阻的环境敏感度。为了改良一光罩图案于长时间内(一般为20小时)可直接写入的稳定性，该保护表涂层材料之pH值会因其他制程的变因，尽可能调整为中性。例如，一表涂层之pH值调整后若介于5至8，对稳定性将特别有帮助。于直接写入的期间，当该保护表涂层之pH值经调整后，其稳定性不仅在化学放大型光阻上变得更好，而且一涂有光阻基材之表面以调整过pH值的表涂层覆盖后，将可于成像前存放较长时间而无负面影响。

主权项

1.一种于光罩制造方法中在一图样影像直接写入 该光阻的期间提供一化学放大型光阻稳定性之方 法,该方法至少包含: a)应用一调整过pH値之扩散阻障保护表涂层,覆盖 于前述一光阻之表面;以及 b)将一图样影像直接写入该光阻上。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述经调 整pH値之扩散阻障保护表涂层于应用前所表现之pH 値范围系介于约5至约8间。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述经调 整pH値之扩散阻障保护表涂层系为一消除电荷之 表涂层。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述经调 整pH値之扩散阻障保护表涂层之材料,于应用前所 表现之pH値范围介于约6.5至约7.5间。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之表 涂层系与一电子束直接写入之工具组合使用。 6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之表 涂层系与一光学直接写入之工具组合使用。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之光 学直接写入工具系为一连续波式雷射写入之工具 。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之连 续波式雷射写入工具之操作波长系为244nm或257nm。 9.如申请专利范围第8项所述之方步,其中上述之波 长系为257nm。 10.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之方法,其 中上述之表涂层亦可作为一抗反射涂层使用。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之 表涂层包括一氟化烷基磺醯酸(fluoroalkylsulfonic acid )、包括一氟化烷基磺醯酸盐或包括一氟化烷基磺 醯酸以及一氟化烷基磺醯酸盐之结合。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 化学放大型光阻包含一盐金属卤化复合物。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 化学放大型光阻之一层系于上述保护表涂层之应 用前作烘烤。 14.一种制作一光罩之方法,该方法至少包括: a)将一金属层覆盖于一基材表面; b)将一化学放大型光阻层覆盖于前述之金属层; c)将一经调整pH値、具辐射传导性之扩散阻障保护 材料之一层覆盖于前述之光阻层,其中该扩散阻障 保护材料层之反射系数大致为该化学放大型光阻 层之反射性数的平方根;以及 d)将前述之基材、叠加之光阻层以及经调整pH値、 具辐射传导性之扩散阻障保护材料等暴露于直接 写入辐射光源,藉以改善该直接写入制程期间图样 图像之关键尺寸及完整性。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 曝光系为一种直接写入一经图样图像之形式。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 经调整pH値之扩散阻障保护材料于应用前所表现 之pH値范围介于约5至约8间。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 经调整pH値之扩散阻障保护材料之层系为消除电 荷层。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 经调整pH値之扩散阻障保护材料于应用前所表现 之pH値范围约介于约6.5至约7.5间。 19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之 经调整pH値之扩散阻障保护材料系与一电子束直 接写入工具组合使用。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之 经调整pH値之扩散阻障保护材料系与一光学直接 写入工具组合使用。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之 光学直接写入工具系为一连续波式雷射写入工具 。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中上述之 连续波式雷射写入工具之操作波长系为244nm或257nm 。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 波长系为257nm。 24.如申请专利范围第14、15、16、17或18项所述之方 法,其中上述之表涂层亦可作为一抗反射涂层。 25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中上述之 表涂层包括一氟化烷基磺醯酸(fluoroalkylsulfonic acid )、包括一氟化烷基磺醯酸盐或包括一氟化烷基磺 醯酸以及一氟化烷基磺醯酸盐之结合。 26.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 化学放大型光阻层包含一盐金属卤化复合物。 27.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 化学放大型光阻层之一层,系于前述经调整pH値之 扩散阻障保护材料之应用前作烘烤。 图式简单说明: 第1图系表示一未经任何处理之光罩,包括一基材 112,以铬层114覆盖,化学放大型光阻层116置于该铬 层114之上,且一保护表涂层122置于化学放大型光阻 层116上。 第2A至2E图系为一方法之概念制造流程图,该等图 示系符合本发明之一实施例,于第1图中所示该实 施例初始型式的结构系使用一直接书写制程图样 之。 第2A图系表示第1图中该初始结构230之概要剖面图, 其系应用光化学辐射作直接书写。 第2B图系表示第2A图中直接写入(成像)223且于曝光 烘烤后,该结构230之概要剖面图。 第2C图系表示第2B图中一保护表涂层222移除后,该 结构230之概要剖面图。 第2D图系表示第2C图中该化学放大型光阻216显影后 ,该结构230之概要剖面图。 第2E图系表示第2D图中,来自化学放大型光阻216之 图案转移至含铬层214后,该结构230之概要剖面图。 第3图系为一曲线图300,该图说明化学放大型光阻 于显影后的厚度损失,以nm表示,于一般操作环境下 ,经CAR覆盖基材其存放天数的函数,其中室温约20℃ 至25℃,且湿度介于40至45%。曲线302表示一未经保 护之CAR覆盖基材。曲线304表示一表涂层所保护之 CAR,其中保护CAR之表涂层经中性化,使pH値约为7。