乾蚀刻方法

摘要

蚀刻气体使用Cl2＋O2气体，藉由电浆蚀刻以蚀刻钨矽化物层104。在钨矽化物层104之蚀刻几乎结束之时间点，将蚀刻气体变更为Cl2＋O2＋NF3，进行藉由电浆蚀刻之过蚀刻，在少许地均匀蚀刻形成在钨矽化物层104之下侧的多晶矽层103之状态下，结束蚀刻工程。藉由此，与以往相比，可以使多晶矽层103之残余膜量均匀化，能够安定制造良好之半导体装置。

主权项

1.一种蚀刻方法,包含步骤:藉由使用包含Cl2气体、 O2气体及NF3气体的蚀刻气体,蚀刻直接形成在矽层 上之钨矽化物,其中该蚀刻步骤系完成于保留有一 部份矽层之状态下。 2.一种蚀刻方法,包含步骤:藉由使用含Cl2气体与O2 气体之蚀刻气体,以蚀刻钨矽化物;以及,随后,藉由 使用含Cl2气体、O2气体及NF3气体的蚀刻气体,来蚀 刻在矽上之钨矽化物。 3.如申请专利范围第2项所述之蚀刻方法,其中,在 使用含Cl2气体、O2气体及NF3气体作为蚀刻气体的 蚀刻步骤比在使用含Cl2气体与O2气体之蚀刻气体 之蚀刻步骤中,具有较大之O2气体流率对Cl2气体流 率之比値(O2气体流率/Cl2气体流率)。 4.一种蚀刻方法,包含步骤:藉由使用含Cl2气体、O2 气体及NF3气体作为蚀刻气体,以蚀刻在矽上之钨矽 化物,其中,O2气体流率对整个蚀刻气体流率的比値 系不小于0.2但不大于0.5[0.2≦O2气体流率/(Cl2气体+O 2气体+NF3气体)流率≦0.5]。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项所述之蚀刻方 法,其中该钨矽化物被蚀刻成一图案,其具有一密 图案区,其中邻近图案系彼此靠近;及一疏图案区, 其中,邻近图案系彼此分隔开。 6.一种蚀刻方法,包含步骤有藉由使用包含N2气体 及NF3气体之蚀刻气体,蚀刻直接形成在一矽层上之 钨。 7.如申请专利范围第6项所述之蚀刻方法,其中该蚀 刻气体更包含O2气体。 8.如申请专利范围第6或7项所述之蚀刻方法,更包 含:在使用包含N2气体及NF3气体之蚀刻气体之蚀刻 步骤前,使用一包含Cl2气体、O2气体及NF3气体之蚀 刻气体,以蚀刻钨的步骤。 9.一种蚀刻方法,包含步骤有:藉由使用包含O2气体 及NF3气体的蚀刻气体,以蚀刻直接形成在矽层上之 钨。 10.如申请专利范围第6、7或9项所述之蚀刻方法,其 中该钨系藉由使用一氧化矽层作为遮罩而加以蚀 刻。 11.一种蚀刻方法,包含步骤有藉由使用包含Cl2气体 、O2气体及NF3气体之蚀刻气体,而蚀刻在矽上之钨, 其中Cl2气体之流率与整个蚀刻气体之流率比例系 大于0,但并不大于0.125[0