| 主权项 |
1.一种以矽酮为基质之黏着板,包括在该板一面上 之第一层似黏土可硬化矽酮组合物,及在该板另一 面上之第二层较第一层慢硬化之似黏土矽酮组合 物。 2.如申请专利范围第1项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该等似黏土可硬化矽酮组合物之塑性数如JIS K 6249之规格为100至800。 3.如申请专利范围第1项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该等似黏土可硬化矽酮组合物为可氢矽烷化 硬化之矽酮组合物。 4.如申请专利范围第3项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该可氢矽烷化硬化之矽酮组合物为包括(A)每 一分子具有至少二个烯基之有机聚矽氧烷;(B)填料 ;(C)每一分子具有至少二个与矽接合之氢原子之有 机聚矽氧烷;(D)黏着促进剂;及(E)氢矽烷化触媒之 可硬化矽酮组合物。 5.如申请专利范围第1项之以矽酮为基质之黏着板, 尚包括在以矽酮为基质之黏着板至少一面上之保 护膜。 6.一种以矽酮为基质之黏着板,包括在该板之一面 上之硬化矽酮层,且在该板另一面上具有一层似黏 土可硬化矽酮组合物。 7.如申请专利范围第6项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该似黏土可硬化矽酮组合物之塑性数如JIS K 6249之规格为100至800。 8.如申请专利范围第6项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该似黏上可硬化矽酮组合物为可氢矽烷化硬 化之矽酮组合物。 9.如申请专利范围第8项之以矽酮为基质之黏着板, 其中该可氢矽烷化硬化之矽酮组合物包括(A)每一 分子具有至少二个烯基之有机聚矽氧烷;(B)填料;(C )每一分子具有至少二个与矽接合之氢原子之有机 聚矽氧烷;(D)黏着促进剂;及(E)氢矽烷化触媒。 10.如申请专利范围第6项之以矽酮为基质之黏着板 ,尚具有在以矽酮为基质之黏着板至少一面上之保 护膜。 11.一种使半导体晶片与晶片附接元件接合之方法, 包括之步骤为: (1)藉由将包括与晶圆接合之硬化矽酮层、一层稳 固的接合于硬化矽酮层之似黏土状可硬化矽酮组 合物、稳固的与该似黏土可硬化矽酮组合物层接 合之保护膜及黏着性的附接于薄膜上之板之积层 体切成小方块,制造半导体晶片; (2)自该晶片剥离该保护膜及该板; (3)经由该似黏土可硬化矽酮组合物层,藉由压着该 半导体晶片与该晶片附接元件,接合半导体晶片与 晶片附接元件;及 (4)使该似黏土可硬化矽酮组合物层硬化。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中硬化之矽酮 层及与硬化矽酮层稳固接合之似黏土可硬化矽酮 组合物系藉由将第一层似黏土可硬化矽酮组合物( I)涂布于晶圆上,涂布第二层具有比第一层慢硬化 之速率之似黏土可硬化矽酮组合物(II),且使第一 层硬化,得使组合物(II)层免于硬化。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该等似黏土 可硬化矽酮组合物(I)及(II)之塑性数如JIS K 6249之 规格为100至800。 14.如申请专利范围第12项之方法,其中该等似黏土 可硬化矽酮组合物(I)为可氢矽烷化硬化之矽酮组 合物。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该可氢矽烷 化硬化之矽酮组合物为包括至少(A)每一分子具有 至少二个烯基之有机聚矽氧烷;(B)填料;(C)每一分 子具有至少二个与矽接合之氢原子之有机聚矽氧 烷;(D)黏着促进剂;及(E)氢矽烷化触媒之可硬化矽 酮组合物。 16.一种制造包括半导体晶片、以矽酮为基质之黏 着板、及半导体晶片附接元件之半导体装置之方 法,其中该方法包括: a)制造在其一面上具有第一层似黏土可硬化矽酮 组合物(I)且另一面上具有第二层比该第一层组合 物(I)较慢硬化之似黏土可硬化矽酮组合物(II)之以 矽酮为基质之黏着板,及 b)使该第一层组合物(I)硬化,得使该第二层组合物( II)仍未硬化,同时使该第一层组合物(I)与半导体晶 片保持接触,接着使该第二层组合物(II)硬化,同时 与半导体晶片附接元件保持接触。 17.一种制造包括半导体晶片、以矽酮为基质之黏 着板、及半导体晶片附接元件之半导体装置之方 法,其中该方法包括: a)制造在其一面上具有第一层似黏土可硬化矽酮 组合物(I)且另一面上具有第二层比该第一层组合 物(I)较慢硬化之似黏土可硬化矽酮组合物(II)之以 矽酮为基质之黏着板,及 b)使该第一层组合物(I)硬化,得使该第二层组合物( II)仍未硬化,同时使该第一层组合物(I)与半导体晶 片附接元件保持接触,接着使该第二层组合物(II) 硬化,同时与半导体晶片保持接触。 18.如申请专利范围第16或17项之方法,其中该等似 黏土可硬化矽酮组合物之塑性数如JIS K 6249之规格 为100至800。 19.如申请专利范围第16或17项之方法,其中该等似 黏土可硬化矽酮组合物为可氢矽烷化硬化之组合 物。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中该可氢矽烷 化硬化之矽酮组合物为包括至少(A)每一分子具有 至少二个烯基之有机聚矽氧烷;(B)填料;(C)每一分 子具有至少二个与矽接合之氢原子之有机聚矽氧 烷;(D)黏着促进剂;及(E)氢矽烷化触媒之可硬化矽 酮组合物。 21.一种制造包括半导体晶片、以矽酮为基质之黏 着板、及半导体晶片附接元件之半导体装置之方 法,其中以矽酮为基质之黏着板包括在其一面上之 硬化矽酮层及在另一面上之似黏土可硬化矽酮组 合物,其中该方法包括: a)接合该硬化之矽酮层,使得似黏土可硬化矽酮组 合物仍未硬化,但使该硬化之矽酮层与半导体晶片 保持接触,且接着 b)使该层似黏土可硬化矽酮组合物硬化,同时使该 层似黏土可硬化矽酮组合物与半导体晶片附接元 件保持接触。 22.一种制造包括半导体晶片、以矽酮为基质之黏 着板、及半导体晶片附接元件之半导体装置之方 法,其中以矽酮为基质之黏着板包括在其一面上之 硬化矽酮层及在另一面上之似黏土可硬化矽酮组 合物,其中该方法包括: a)接合该硬化之矽酮层,使得似黏土可硬化矽酮组 合物仍未硬化,但使该硬化之矽酮层与半导体晶片 附接元件保持接触,且接着 b)使该层似黏土可硬化矽酮组合物硬化,同时使该 层似黏土可硬化矽酮组合物与该半导体晶片保持 接触。 23.如申请专利范围第21或22项之方法,其中该似黏 土可硬化矽酮组合物之塑性数如JIS K 6249之规格为 100至800。 24.如申请专利范围第21或22项之方法,其中该似黏 土可硬化矽酮组合物为可氢矽烷化硬化之组合物 。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该可氢矽烷 化硬化之矽酮组合物包括(A)每一分子具有至少二 个烯基之有机聚矽氧烷;(B)填料;(C)每一分子具有 至少二个与矽接合之氢原子之有机聚矽氧烷;(D)黏 着促进剂;及(E)氢矽烷化触媒。 图式简单说明: 图1为实例2中之本发明以矽酮为基质之黏着板剖 面图。 图2为实例1及实例3至5中之本发明以矽酮为基质之 黏着板剖面图。 图3为与本发明接合半导体晶片与晶片附接元件之 方法有关之实例6中部分切割晶圆之剖面图。 图4为实例1至6中之本发明半导体装置之剖面图。 图5为实例7之本发明半导体装置之剖面图。 |
