| 主权项 |
1.一种层合物,系由第一无机物层-绝缘层-第二无 机物层,或无机物层-绝缘层而成的层构成之层合 物,该绝缘层系由二层以上的树脂层所形成,形成 该绝缘层之至少一层系以具有以一般式(2) (式中,R1及R2系二价的有机基,可为各自单一的构造 ,亦可为二种以上的构造之组合,R3系选自二苯基 -2,3,3',4'-四羧酸二酐,二苯基-2,2',3,3'-四羧酸二 酐、苯均四酸二酐、二苯基酮四羧酸二酐、2,3,3', 4'-联苯基四羧酸二酐、3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐 、2,3,3',4'-二苯基醚四羧酸二酐、2,3,3',4,4'-二苯基 醚四羧酸二酐,及1,4,5,8-四羧酸二酐的一种或二 种的酸二酐,n及m为2以上的整数)表示的重复单位 之聚醯亚胺树脂,且具有150℃-360℃之玻璃转移温 度,对硷性溶液之溶解速度系较3m/min大的聚醯亚 胺树脂而成, 其中构成前述绝缘层之树脂层之中至少一层为热 膨胀系数0ppm-40ppm之低膨胀性树脂。 2.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述一般式 (2)之R1所含的二价之有机基之中至少莫耳分率在50 %以上为以一般式(3) (n为1-15之整数)表示者。 3.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述一般式 (2)之R1所含的二价之有机基全部为以一般式(3) (式内,n为1-15之整数)表示者。 4.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述一般式 (2)之R1所含的二价之有机基之全部为以一般式(3) (n为1-15之整数) 表示,且R2所含的二价之有机基之中至少莫耳分率 为30%以上为以一般式(4) 表示者。 5.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述一般式 (2)之R1所含的二价之有机基之全部为以一般式(3) (n为1-15之整数) 表示,且R2所含二价有机基之中至少莫耳分率为80% 以上为以一般式(4) 表示者。 6.如申请专利范围第1项之层合物,其中构成前述绝 缘层之树脂层之全部为由聚醯亚胺树脂而成。 7.如申请专利范围第1项之层合物,其中形成与至少 一侧之无机物层间之界面的绝缘层系聚醯亚胺树 脂,该聚醯亚胺树脂系以前述一般式(2)之R1所含二 价有机基之全部为以一般式(3) (n为1-15之整数) 表示,且R2所含的二价有机基之至少莫耳分率为80% 以上为以一般式(4) 表示的聚醯亚胺树脂。 8.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述绝缘层 系由第一绝缘层-第二绝缘层-第三绝缘层而成的 层合构造,该第一绝缘层及第三绝缘层之树脂系以 前述一般式(2)之R1所含的二价有机基之全部为以 一般式(3) (式内,n为1-15之整数) 表示,且R2所含二价有机基之中至少莫耳分率为80% 以上为一般式(4) 表示的聚醯亚胺树脂, 该第二绝缘层为热膨胀系数0ppm-40ppm之低膨胀性树 脂。 9.如申请专利范围第1项之层合物,其中前述无机物 层系选自:所有的无机物层为合金铜时;所有的无 机物层为铜时;一侧的无机物层为铜,另一侧无机 物层为合金铜时;一侧的无机物层为铜或铜合金, 另一侧为不锈铜时者。 10.一种电子电路组件,系蚀刻申请专利范围第1项 至第9项之任一项之层合物而制作者。 11.一种硬碟驱动器用悬吊器,系蚀刻申请专利范围 第1项至第9项之任一项之层合物而制作者。 12.一种电子电路组件,系以湿制程去除申请专利范 围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘层至成 所期待的形状而制作者。 13.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以湿制程去除申请 专利范围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘 层至成所期待的形状而制作者。 14.一种电子电路组件,系以硷性溶液去除申请专利 范围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘层至 成所期待的形状而制作者。 15.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以硷性溶液去除申 请专利范围第1项至第9项之任一项之层合物之绝 缘层至成所期待的形状而制作者。 16.一种电子电路组件,系以硷性胺系溶液去除申请 专利范围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘 层至成所期待的形状而制作者。 17.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以硷性胺系溶液去 除申请专利范围第1项至第9项之任一项之层合物 之绝缘层至成所期待的形状而制作者。 18.一种电子电路组件,系以湿制程去除申请专利范 围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘层至成 所期待的形状而制作的电子电路组件,于藉由该去 除而露出的无机物层表面上不具有无机氮化物层 及/或无机氟化物层。 19.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以湿制程去除申请 专利范围第1项至第9项之任一项之层合物之绝缘 层至成所期待的形状而制作的硬碟驱动器用悬吊 器,于藉由该去除而露出的无机物层表面上不具有 无机氮化物层及/或无机氟化物层。 20.一种绝缘薄膜,系由二层以上的树脂层之绝缘层 而成的绝缘薄膜,该树脂层之至少一层系具有以下 述一般式(2) (式中,R1及R2系二价的有机基,可为各自单一的构造 ,亦可为二种以上的构造之组合;R3系选自二苯基 -2,3,3',4'-四羧酸二酐,二苯基-2,2',3,3'-四羧酸二 酐、苯均四酸二酐、二苯基酮四羧酸二酐、2,3,3', 4'-联苯基四羧酸二酐、3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐 、2,3,3',4'-二苯基醚四羧酸、2,3,3',4,4'-二苯基醚四 羧酸二酐,及1,4,5,8-四羧酸二酐的一种或二种以 上的酸二酐,n及m为2以上的整数)表示的具有重复 单位构造之聚醯亚胺树脂,且具有150℃-360℃之玻 璃转移温度,对硷性溶液之溶解速度系较3m/min大 的聚醯亚胺树脂而成,其中构成前述绝缘层之树脂 层之中至少一层为热膨胀系数0ppm-40ppm之低膨胀性 树脂。 21.如申请专利范围第20项之绝缘薄膜,其中前述一 般式(2)R1所含的二价之有机基之中至少莫耳分率 在50%以上为具有以一般式(3) (n为1-15之整数)表示的构造之接着性聚醯亚胺。 22.如申请专利范围第20项之绝缘薄膜,其中前述一 般式(2)之R1所含的二价之有机基之全部为以一般 式(3) (n为1-15之整数)表示的构造之接着性聚醯亚胺。 23.如申请专利范围第20项之绝缘薄膜,其中前述一 般式(2)之R1所含的二价之有机基全部为具有以一 般式(3) (n为1-15之整数) 表示,且R2所含的二价之有机基之中至少莫耳分率 为30%以上系以一般式(4) 表示的构造之接着性聚醯亚胺者。 24.如申请专利范围第20项之绝缘薄膜,其中前述一 般式(2)之R1所含的二价之有机基之全部为具有以 一般式(3) (n为1-15之整数)表示,且R2所含的二价之有机基之中 至少莫耳分率为80%以上为以一般式(4) 表示的构造之接着性聚醯亚胺。 25.如申请专利范围第20项至第24项之任一项之绝缘 薄膜,其中构成前述绝缘层之树脂层之全部为由聚 醯亚胺树脂而成。 26.如申请专利范围第20项至第24项之任一项之绝缘 薄膜,系于表面及背面之各绝缘层,前述一般式(2) 之R1所含的二价有机基之全部为具有以一般式(3) (式内,n为1-15之整数)表示的接着性聚醯亚胺树脂 。 27.如申请专利范围第22项至第24项之任一项之绝缘 薄膜,其中前述绝缘层系由第一绝缘层与第二绝缘 层之层合构造,该第一绝缘层与第二绝缘层之树脂 系以前述一般式(2)之R1所含的二价有机基之全部 为以一般式(3) (式内,n为1-15之整数)表示,且R2所含的二价有机基 之中至少莫耳分率为80%以上为以一般式(4) 表示的聚醯亚胺树脂。 28.如申请专利范围第22项至第24项之任一项之绝缘 薄膜,其中前述绝缘层为由第一绝缘层-第二绝缘 层-第三绝缘层而成的层合构造,该第一绝缘层与 第二绝缘层之树脂系以前述一般式(2)之R1所含的 二价有机基之全部为以一般式(3) (式内,n为1-15之整数)表示,且R2所含的二价有机基 之中至少莫耳分率为80%以上为以一般式(4) 表示的构造之聚醯亚胺树脂;该第二绝缘层为膨胀 系数0ppm-40ppm之低膨胀性聚醯亚胺树脂。 29.一种层合物,系采用申请专利范围第20项至第28 项之任一项之绝缘薄膜并与无机物层层合的。 30.一种电子电路组件,系蚀刻申请专利范围第20项 至第28项之任一项之绝缘薄膜而制作者。 31.一种硬碟驱动器用悬吊器,系蚀刻申请专利范围 第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜而制作者。 32.一种电子电路组件,系以湿制程去除申请专利范 围第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜成所期待的 形状者。 33.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以湿制程去除申请 专利范围第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜至成 所期待的形状而制作者。 34.一种电子电路组件,系以硷性溶液去除申请专利 范围第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜至成所期 待的形状而制作者。 35.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以硷性溶液去除申 请专利范围第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜至 成所期待的形状而制作者。 36.一种电子电路组件,系以硷性胺系溶液去除申请 专利范围第20项至第28项之任一项之绝缘薄膜至成 所期待的形状而制作者。 37.一种硬碟驱动器用悬吊器,系以硷性胺系溶液去 除申请专利范围第20项至第28项之任一项之绝缘薄 膜至成所期待的形状而制作者。 图式简单说明: 第1图为对由向来专门适用乾蚀刻之第一金属层- 接着性绝缘层-芯绝缘层-接着性绝缘层-第二金属 层而成的无线悬吊器用之层合物,表示由第一金属 层侧以湿制程蚀刻时之层合物之截面的蚀刻形状 之概念图。 第2图为拍摄有已采用以实施例A2而得的聚醯亚胺A 之层合物之蚀刻形状的SEM(扫瞄型电子显微镜)照 相。 第3图为加工前之层合物及由电浆蚀刻或硷溶液而 得的湿蚀刻后之层合物之步骤截面图。 第4图为以由初期的膜厚减去浸渍后之膜厚者作为 膜减少量,取横轴为浸渍时间(秒)、纵轴为膜减少 量(m)之图形。 第5图为表示已采用附有接着剂层之薄膜A的三层 材之蚀刻形状之SEM(扫瞄型电子显微镜)照相。 第6图为表示已采用附有接着剂层之薄膜B的三层 材之蚀刻形状之SEM(扫瞄型电子显微镜)照相。 第7图为概略的描绘第6图之照相的图形。 第8图表示已采用附有接着剂层之薄膜C的三层材 之蚀刻形状之SEM(扫瞄型电子显微镜)照相。 第9图系乾蚀刻试样之XPS图表。 第10图系表示对应于氮、氟之部分的详细测定数 据之XPS图表。 第11图系表示对应于氮、氟之部分的详细测定数 据之XPS图表。 第12图为表示湿蚀刻试样之测定结果的XPS图表。 第13图为表示湿蚀刻试样之测定结果的XPS图表。 第14图为表示湿蚀刻试样之测定结果的XPS图表。 第15图为表示对电浆蚀刻试样之参考的XPS图表。 第16图为表示对湿蚀刻试样之参考的XPS图表。 |
