| 摘要 |
<p>Es wird ein elektrisches Bauelement angegeben, in dessen kristallinem Halbleiterkörper (HLK) mehrere CMOS-Transistoren (Sb, Db, Gb, GDb) in Hoch- oder Niedervolttechnik ausgebildet sind. Die einzelnen CMOS-Transistoren sind durch Isolationsgebiete (IG, IG') voneinander getrennt. Auf einem Isolationsgebiet (IG') ist ein Dünnfilmtransistor (S, D, Gd, GDd) ausgebildet, dessen Gate (Gd) zusammen mit dem Gate (Gb) der CMOS-Transistoren aus der gleichen Polysiliziumschicht realisiert ist. Das Gate-Oxid (GDd) des Dünnfilmtransistors kann ebenso wie eine zweite Polysiliziumschicht (PS2) für Source (S), Drain (D) und Body des Dünnfilmtransistors zusammen mit bereits im CMOS-Prozess vorhandenen Strukturelementen erzeugt werden.</p> |
