制造快闪存储器元件的方法

摘要

一种制造快闪存储器元件的方法，通过在存储器单元区中实施浅沟隔离(STI)工艺，使它通过形成场隔离膜而降低图案的深宽比从而减少由于高密度等离子体(HDP)的间隙填充缺陷，并避免隧道氧化物膜处的微笑现象从而改进快闪存储器元件的编程速度。该方法还通过形成场隔离膜在周围电路区执行自对准浅沟隔离(SA-STI)工艺，使它避免高和低电压栅极氧化物膜的特性退化。

主权项

1.一种制造快闪存储器元件方法，该方法包括：提供半导体衬底，其上衬垫氧化物膜形成在单元区中、低电压栅极氧化物膜形成在低电压域中、高电压栅极氧化物膜形成高电压域中；在所述低与高电压域中形成第一多晶硅膜；在包括所述第一多晶硅膜的整个结构上沉积衬垫氮化物膜；在所述单元区中，通过部分地构图所述衬垫氮化物膜、所述衬垫氧化物膜和所述半导体衬底而形成第一沟；部分地构图所述低电压域中的所述衬垫氮化物膜、所述第一多晶硅膜、所述低电压栅极氧化物膜和所述半导体衬底和所述高电压域中的所述衬垫氮化物膜、所述第一多晶硅膜、所述高电压栅极氧化物膜和所述半导体衬底，从而在所述低电压域中形成第二沟，在所述高电压域中形成第三沟；形成场隔离膜从而填充所述第一至第三沟；去除所述衬垫氮化物膜；在形成有所述场隔离膜的所述整个结构上形成隧道绝缘膜；以及通过在所述隧道绝缘膜上沉积并构图第二多晶硅膜形成浮置栅极。