一种多晶硅栅刻蚀终点的检测装置

摘要

本发明所述的一种多晶硅栅刻蚀终点的检测装置，根据刻蚀过程分的四个阶段，采用不同的终点检测方式。偏压补偿终点检测对较低刻蚀选择比的刻蚀过程进行预报终点，合理利用该方法的灵敏特性，保证了在刻蚀临近栅氧前对该氧化层的提前保扩。为了有效进行多晶刻蚀，通过对OES终点检测方法，检测具有很高选择比的刻蚀过程，这样既保证了多晶硅的充分刻蚀，又有效保护了栅氧层。

主权项

1.一种多晶硅刻蚀终点的检测装置，其特征在于，包括：偏压补偿功率获取单元：用于获取静电卡盘的偏压补偿功率信息，并输出给信号处理单元；特定波长信号检测单元：用于检测多晶硅栅刻蚀腔中特定波长信号信息，并发送给光电转换单元；光电转换单元：将所述特定波长信号信息转换为电信号输出给信号处理单元；信号处理单元：将所述的偏压补偿功率信息和所述特定波长信号对应的电信号进行滤波放大处理后发送给刻蚀终点计算单元；刻蚀终点计算单元：根据所述的偏压补偿功率信息的变化情况及特定波长信号强度的变化情况确定多晶硅栅刻蚀过程进入刻蚀终点。