| 发明名称 | 用于相变存储器的读干扰传感器 | ||
| 摘要 | 公开了一种操作相变存储器阵列的方法，该方法包括：识别与该相变存储器阵列相关联的读干扰条件；以及响应于所识别的读干扰条件来执行条件刷新操作。还公开了一种相变存储器，其包括相变存储单元阵列以及被配置为识别读干扰条件并且响应于此对该阵列执行刷新操作的读干扰系统。 | ||
| 申请公布号 | CN101114519A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710137615.9 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 奇梦达北美公司 | 发明人 | 托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种操作相变存储器阵列的方法，包括：识别与所述相变存储器阵列相关联的读干扰条件；以及响应于所识别的读干扰条件来执行条件刷新操作。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||