Fremgangsmate for produksjon av solcelle og solcelle, og fremgangsmate for produksjon av halvlederinnretning

摘要

Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av en solcelle med tilforming av en pn-overgang i et halvledersubstrat av en første ledningsevnetype hvor, i det minste: Et første beleggmateriale som inneholder et dopeelement og et middel for å hindre at et dopeelement spres og et andre beleggmateriale som inneholder et dopeelement legges på halvledersubstratet av den første ledningsevnetypen slik at det andre beleggmaterialet kan bringes til kontakt med i det minste det første beleggmaterialet; og hvor et første diffusjonslag dannet med legging av det første beleggmaterialet og et andre diffusjonslag dannet med legging av det andre beleggmaterialet, hvilket andre diffusjonslag har en ledningsevne som er lavere enn den til det første diffusjonslaget, dannes samtidig ved hjelp av en diffusjonsvarmebehandling. Det beskrives også en solcelle som fremstilles ved hjelp av fremgangsmåten og en fremgangsmåte for fremstilling av en halvlederinnretning. Oppfinnelsen muliggjør en fremstilling av en solcelle hvis fotoelektriske omformingseffektivitet bedres, idet fremstillingen kan gjennomføres på en enklere og billigere måte med undertrykking av overflaterekombinasjon på et sted annet enn en elektrode i en lysmottakende overflate og rekombinasjon i en emitter med oppnåelse av ohmsk kontakt. Det tilveiebringes også en solcelle fremstilt med fremgangsmåten og en fremgangsmåte for fremstilling av halvlederinnretningen.