发明名称 |
双N信道半桥式换流装置 |
摘要 |
本发明公开了一种双N信道半桥式换流装置,包括有:一推挽式控制芯片,输出占空比大于50%的第一控制信号与占空比小于50%的第二控制信号;一第一缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片;一第二缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片;驱动电路通过该第一缓冲电路耦接于该推挽式控制芯片与一直流电源,接受该第一控制信号;及一由二个N信道场效晶体管组成的半桥式开关组件,该半桥式开关组件耦接于该直流电源、该驱动电路、该第二缓冲电路及一变压器,该半桥式开关组件受控于该驱动电路,用以将该直流电源切换为该交流电源传送至该变压器的一次侧。 |
申请公布号 |
CN101110556A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
申请号 |
CN200610099258.7 |
申请日期 |
2006.07.21 |
申请人 |
联昌电子企业股份有限公司 |
发明人 |
陈政刚;王政雄 |
分类号 |
H02M7/537(2007.01);H02M7/5387(2007.01) |
主分类号 |
H02M7/537(2007.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
1.一种双N信道半桥式换流装置,其特征在于,连接于一变压器的一次侧,将一直流电源转换为一交流电源,包括有:一推挽式控制芯片,设有一第一输出端与一第二输出端,该第一输出端输出占空比大于50%的一第一控制信号,该第二输出端输出占空比小于50%的一第二控制信号;一开关,耦接于一参考端与该推挽式控制芯片的第一输出端;一SCR开关,该SCR开关的栅极耦接于该开关,该SCR开关的阳极耦接于该直流电源;一第一N信道场效晶体管,该第一N信道场效晶体管的栅极耦接于该SCR开关的阴极,该第一N信道场效晶体管的漏极耦接于该直流电源,该第一N信道场效晶体管的源极耦接于该变压器的一次侧;及一第二N信道场效晶体管,该第二N信道场效晶体管的栅极耦接于该推挽式控制芯片的第二输出端,该第二N信道场效晶体管的漏极耦接于该第一N信道场效晶体管的源极,该第二N信道场效晶体管的源极耦接到该参考端。 |
地址 |
中国台湾台北县 |