| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供性能稳定的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置。本发明的一种形态的薄膜晶体管阵列基板是一种具备半导体层(22)和栅电极(24)的薄膜晶体管阵列基板，该半导体层(22)具有形成在绝缘基板(21)上的第1导电型的源极区域(221)、第1导电型的漏极区域(222)以及配置在源极区域(221)和漏极区域(222)之间的沟道区域(223)，该栅电极(24)则隔着栅极绝缘膜(23)配置在沟道区域(223)的对面；沟道区域(223)含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；在沟道区域(223)与绝缘基板(21)的界面附近或绝缘基板(21)一侧具有第2导电型杂质的最大浓度点。 | ||
| 申请公布号 | CN101110432A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710136637.3 | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 永田一志;中川直纪;今村卓司 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板，是具备结晶性硅层和栅电极的薄膜晶体管阵列基板，该结晶性硅层具有形成在基板上的第1导电型的源极区域、第1导电型的漏极区域以及配置在上述源极区域和上述漏极区域之间的沟道区域，该栅电极则隔着栅极绝缘膜配置在上述沟道区域的对面；上述沟道区域含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；在上述沟道区域与上述基板的界面附近或上述基板一侧具有上述第2导电型杂质的最大浓度点。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||