发明名称 |
浅结二极管芯片的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种浅结二极管芯片的制作方法,(1)在硅片氧化并一面或双面进行光刻、腐蚀形成有源区窗口;(2)将砷原子或磷原子注入到有源区窗口;(3)在硅片表面淀积多晶硅层;(4)将硅片推入800℃~950℃的磷扩散炉进行磷扩散同时进行离子注入退火;(5)经光刻、腐蚀把有源区窗口以外的多晶硅层刻干净;(6)对硅片溅射或蒸发金属膜;(7)腐蚀掉有源区以外的金属膜;(8)在真空或在氮气或/和氢气的条件下进行合金,制成二极管芯片。本发明采用多晶硅作为金属与硅片之间的导电过渡层,既可以实现浅结工艺,又解决金属层的粘附强度,能精确控制杂质浓度和结深,保证极低的击穿电压和电参数的均匀性和一致性,具有较好的工艺重复性。 |
申请公布号 |
CN101110364A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
申请号 |
CN200710025364.5 |
申请日期 |
2007.07.26 |
申请人 |
江苏宏微科技有限公司 |
发明人 |
刘利峰;王晓宝;赵善麒 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01) |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 |
代理人 |
贾海芬 |
主权项 |
1.一种浅结二极管芯片的制作方法,其特征在于:(1)、氧化、光刻有源区:将抛光硅片进行清洁处理后进行氧化形成氧化层,在硅片的一面或双面经光刻、腐蚀形成有源区窗口;(2)、离子注入:用离子注入机将砷原子或磷原子注入到有源区窗口,注入能量为:30~80kev,注入剂量1~5E15;(3)、多晶硅淀积:在硅片表面淀积多晶硅层,淀积厚度控制在4000±500;(4)、离子注入退火及磷扩散:将硅片推入800℃~950℃的磷扩散炉内进行磷扩散,同时进行离子注入退火,时间控制在10~30min;(5)、光刻多晶硅:经光刻、腐蚀把有源区窗口以外的多晶硅层刻干净;(6)、金属膜淀积:对硅片溅射或蒸发金属膜;(7)、光刻有源区:光刻、腐蚀掉有源区以外的金属膜;(8)、合金:在真空或在氮气或/和氢气的条件下进行合金,合金温度控制在400℃~500℃,时间在25~35min,制成二极管芯片。 |
地址 |
213022江苏省常州市新北区科技园10栋411室 |