发明名称 |
磁控溅射真空室H<SUB>2</SUB>O内外压差逐级导入装置 |
摘要 |
磁控溅射真空室H<SUB>2</SUB>O内-外压差逐级导入装置包括:密封抽滤瓶、H<SUB>2</SUB>O气化导流管、至少三级H<SUB>2</SUB>O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室,密封抽滤瓶通过H<SUB>2</SUB>O气化导流管与至少三级H<SUB>2</SUB>O气化用浮标式流量计连接,至少三级H<SUB>2</SUB>O气化用浮标式流量计将密封抽滤瓶内的液态水逐级气化成单分子水分子后通过数字流量控制器定量调节后进入混气室,在混气室中H<SUB>2</SUB>O分子与Ar气或Ar与O<SUB>2</SUB>后充分混和,进入真空溅射室,作为溅射室溅射气氛的一部分,解决了真空室内有水分而无法抽真空正常工作的问题;解决了真空室内有水分而无法抽真空正常工作的问题,在Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>、ZrO、MgF<SUB>2</SUB>、SiO等的薄膜制备过程中可实现即时同步氢化,进而解决了性能优良的电致变色用H<SUP>+</SUP>离子导电薄膜的制备问题。 |
申请公布号 |
CN101109072A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
申请号 |
CN200710117793.5 |
申请日期 |
2007.06.25 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
刁训刚;王怀义;杜心康;杨海刚;郝维昌;王天民 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 |
代理人 |
贾玉忠;卢纪 |
主权项 |
1.磁控溅射真空室H2O内外压差逐级导入装置,其特征在于包括:密封抽滤瓶、H2O气化导流管、至少三级H2O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室,密封抽滤瓶通过H2O气化导流管与至少三级H2O气化用浮标式流量计连接,至少三级H2O气化用浮标式流量计将密封抽滤瓶内的液态水逐级气化成单分子水分子后,通过数字流量控制器定量调节后进入混气室,在混气室中H2O与Ar气,或H2O与Ar和O2混合气充分混和,进而进入真空溅射室。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路37号 |