| 发明名称 | 紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法 | ||
| 摘要 | 一种在紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对紫外写入二氧化硅波导进行载氢；(2)采用紫外激光对波导进行曝光，在波导上形成布拉格光栅；(3)退火，稳定光栅性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100363764C | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200410074149.0 | 申请日期 | 2004.09.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 夏君磊;吴远大;安俊明;郜定山;李健;龚春娟;胡雄伟 |
| 分类号 | G02B6/02(2006.01);G02B5/18(2006.01) | 主分类号 | G02B6/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种在紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对紫外写入二氧化硅波导进行载氢，其中紫外写入二氧化硅波导包括：在硅衬底或二氧化硅衬底上依次形成下包层，波导层和上包层，波导层为掺杂了适量的光敏剂锗和折射率降低剂堋；(2)采用能量密度为300-400mj/cm2/脉冲、20Hz，曝光时间为25-40分钟的紫外激光对波导进行曝光，在波导上形成II型布拉格光栅；(3)退火，稳定光栅性能。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||