| 发明名称 | 半导体结构和制造电阻器的方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及半导体结构和制造电阻器的方法。本发明提供的一种含多晶硅电阻器包括：(1)从硼和氟化硼中选出的一种p型掺杂剂；以及(2)从砷和磷中选出的一种n型掺杂剂。每一个所述p型掺杂剂和n型掺杂剂的掺杂剂浓度从每立方厘米大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子。本发明的一种用于形成所述多晶硅电阻器的方法使用从每平方厘米大约1e14到大约1e16个掺杂剂离子的相应的注入剂量。可以同时或顺序提供所述p型掺杂剂和n型掺杂剂。对于具有大约100到大约5000欧姆每平方的表面电阻的多晶硅电阻器，所述方法提供了具有小于大约1.5％的表面电阻百分数标准差的特定多晶硅电阻器。 | ||
| 申请公布号 | CN101110418A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710108814.7 | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 库纳尔·威地;埃尼尔·K.·奇恩萨肯迪;约翰·E.·弗洛克;埃比尼泽·E.·埃尚;道格拉斯·D.·库尔鲍;罗伯特·M.·拉塞尔 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：位于衬底上的含多晶硅层，包括：从硼掺杂剂和二氟化硼掺杂剂中选出的至少一种p型掺杂剂，总的p型掺杂剂浓度为大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子每立方厘米；以及从磷掺杂剂和砷掺杂剂中选出的至少一种n型掺杂剂，总的n型掺杂剂浓度为大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子每立方厘米，所述总的p型掺杂剂浓度和所述总的n型掺杂剂浓度在浓度上的差别为至少大约1e19个掺杂剂原子每立方厘米。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||