发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示器阵列基板像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板像素结构,包括基板、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层、像素电极、源电极、漏电极及数据线,其中栅电极下部保留有与像素电极材料相同的透明导电薄膜;栅线呈断续状分布在数据线之间;栅电极一端为栅线的跨接部位,栅线的跨接部位两端有露出栅金属薄膜的过孔,断续的栅线通过该过孔实现与栅电极和栅线间的电连接;栅线与源电极、漏电极、及数据线的材料相同。本发明同时还公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板像素结构的制造方法。本发明减少了像素结构的光刻过程及工艺步骤,降低了工艺时间,提高了设备的利用率,从而提高了产能和降低了成本。 |
申请公布号 |
CN101109876A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
申请号 |
CN200610099231.8 |
申请日期 |
2006.07.21 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
欧盛佳 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/1333(2006.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板像素结构,包括基板、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层、像素电极、源电极、漏电极及数据线,其特征在于:所述栅电极下部具有与像素电极材料相同的透明导电薄膜;栅线呈断续状分布在数据线之间;栅电极一端为栅线的跨接部位,栅线的跨接部位两端有露出栅金属薄膜的过孔,断续的栅线通过该过孔实现与栅电极和栅线间的电连接;栅线与源电极、漏电极、及数据线的材料相同。 |
地址 |
100176北京经济技术开发区西环中路8号 |