发明名称 | 具有嵌入的微晶的波长转换层 | ||
摘要 | 本发明涉及具有包含嵌入的稀土离子掺杂的微晶(3)和/或稀土离子掺杂的非晶微粒的基质层(2)的波长转换层(1),其中所述的稀土离子掺杂的微晶和/或稀土离子掺杂的非晶微粒掺杂有至少镧系元素之一,并且其中所述的稀土离子掺杂的微晶和/或所述掺杂的非晶微粒具有10nm到500μm的平均直径d<SUB>50</SUB>,其中基质层是透明的,因而对于在400nm到1200nm范围中的至少一个波长,所述稀土离子掺杂的微晶和/或所述稀土离子掺杂的非晶微粒的折射率与基质层的折射率匹配,具有折射率差Δn,例如:0<_Δn<_0.1。 | ||
申请公布号 | CN101111801A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
申请号 | CN200580045950.5 | 申请日期 | 2005.12.19 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | H·蒙克;G·休斯勒 |
分类号 | G02F1/35(2006.01) | 主分类号 | G02F1/35(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李静岚;谭祐祥 |
主权项 | 1.一种波长转换层,其具有基质层,所述基质层包含嵌入的稀土离子掺杂的微晶和/或稀土离子掺杂非晶微粒,其中所述稀土离子掺杂的微晶和/或稀土离子掺杂的非晶微粒用至少镧系元素之一掺杂,其中所述稀土离子掺杂的微晶和/或掺杂的非晶微粒具有10nm到500μm的平均直径d50,且其中所述基质层是透明的,由此对在400nm-1200nm范围内的至少一个波长,所述稀土离子掺杂的微晶和/或所述稀土离子掺杂的非晶微粒的折射率与所述基质层的折射率匹配,Δn≥0且Δn≤0.1. | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |