具有间隙结构的高压静电放电保护装置

摘要

一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置，运用于横向扩散金氧半场效应晶体管(LDMOS)。本发明利用LDMOS既有的结构，额外加上一间隙结构，用以分隔扩散区与场氧化区。当LDMOS的一寄生的硅控整流器未导通时，使ESD电流分散于其它放电路径，用以避免ESD电流过于集中于某一放电路径，进而造成元件的损坏。

主权项

1.一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置，其特征在于所述静电放电保护装置包括：一第一导电型基底；一第二导电型阱区，形成于该基底中；一第二导电型第一扩散区，形成于该基底中；一栅极，用以控制该第二导电型第一扩散区与该阱区的电性连接，该栅极、该第二导电型第一扩散区与该阱区构成一场效应晶体管，其中该栅极于该第一导电型基底上的投影区域，重叠部分该第二导电型阱区；一第三导电型第一扩散区，形成于该阱区中；一场氧化区，形成于该阱区中，位于该栅极与该第三导电型第一扩散区之间；以及一间隙，形成于该阱区中，位于该场氧化区与该第三导电型第一扩散区之间。