| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法。在该方法中，将半导体器件设置为包括衬底(10)，所述衬底(10)用具有表面(25)的低k前体层(20)覆盖。在该步骤之后，执行部分固化步骤，其中低k前体层(20)的表面(25)处或其附近形成密集层(30)。该密集层(30)可以用作保护层(30)。低k前体材料(20)是从具有可用于非固化或部分固化状态的性质的材料组中选择的。该方法的主要优点是不需要向低k前体层(20)提供单独的保护层(30)，因为密集层(30)由低k前体层(20)本身形成。因此，密集层(30)具有与低k前体层(20)的良好粘附性。 | ||
| 申请公布号 | CN101111930A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200680003430.2 | 申请日期 | 2006.01.25 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 古川有纪子;约翰·麦克内尔 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件(1、2)的方法，包括步骤：a)提供衬底(10)；b)将未固化或只部分固化的电介质材料层(20)涂敷到衬底上，所述层(20)具有已暴露的表面(25)，并且所述材料是从在已固化状态时具有较低介电常数的组中选择的；以及c)对所述电介质材料(20)进行固化，其特征在于所述固化步骤包括：初始部分固化，用于在已暴露表面处或其附近的电介质材料中形成密集层(30)，所述密集层在电介质材料的至少一个其他制造步骤期间用作保护层；以及随后固化，用于对体材料进行固化。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||