| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine ESD-Schutzstruktur zum Schutz einer zwischen einer ersten Potentialschiene mit einem ersten Versorgungspotential und einer zweiten Potentialschiene mit einem zweiten Versorgungspotential geschalteten, integrierten Halbleiterschaltung vor elektrostatischer Entladung, mit einer lateral ausgebildeten ESD-Diode, die mindestens einen ersten Bereich des ersten Leitungstyps und mindestens einen vom ersten Bereich beabstandeten, zweiten Bereich des zweiten, entgegengesetzten Leistungstyps aufweist, die zwischen den Potentialschienen angeordnet ist und die einen Überspannungsimpuls auf eine Potentialschiene ableitet, mit einer Gateelektrode vorgesehen ist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich bezüglich der Gateelektrode justiert sind und der Abstand zwischen dem ersten Bereich und zweiten Bereich der Weite oder der Länge der Gateelektrode entspricht. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer solchen ESD-Schutzstruktur sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Dotiermaske.</p> |
