| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,主要于承载架上结合有至 少二晶片,其中该至少二晶片系采晶片叠合晶片的 堆叠方式结合,而至少二晶片的叠合方式系采上大 下小递减的方式电性连结,且上方晶片之周缘尺寸 系大于下方晶片之周缘尺寸,即完成一可发出均匀 混光之发光二极体者。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该承载架系为金属支架、各类电路板(PCB)、铝 基板、陶瓷基板其中任一者。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该每一晶片电性连结系藉锡球以覆晶方式连结 者。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该堆叠结合之至少二晶片系直接裸露于空气中 者。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该堆叠结合之至少二晶片外系设有透光物质包 覆者。 6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体结构,其 中该透光物质系为矽胶(Silicone)者。 7.如申请专利范围第5项所述之发光二极体结构,其 中该透光物质系为环氧树脂(Epoxy,简称EP)者。 8.如申请专利范围第5项所述之发光二极体结构,其 中该透光物质系为矽胶与环氧树脂之混合体者。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该堆叠结合之至少二晶片系设有一内建控制IC 者。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构, 其中该堆叠结合之至少二晶片系设有一外接控制 IC者。 图式简单说明: 第1图系为本创作实施例之局部示意图。 第2图系为本创作实施例之晶片结合后之混光示意 之俯视图。 第3图系为本创作实施例之晶片结合后之混光示意 之前视图。 第4图系为本创作外接控制IC之方块示意图。 第5图系为本创作内建控制IC之方块示意图。 第6图系为习用白光二极体之俯视图。 |
