| 主权项 |
1.一种用于处理一基材的槽,其具有: 一平台组件,其具有一支撑表面; 一电极,其置于该平台组件上; 一充液层(plenum),位于该平台组件内;以及 数个通道,其穿通该平台组件以耦接该支撑表面至 该充液层。 2.如申请专利范围第1项所述之槽,其更包括: 一处理垫,置于该平台组件上,其并具有一上方介 电处理表面以处理其上之一基材;以及 一或多个导电元件,其配置于该上方处理表面上以 电性偏压该基材。 3.如申请专利范围第1项所述之槽,其中该平台组件 更包括: 一顶板,其包括上表面并具有通过其间之各该等通 道的至少一第一部分;以及 一导电接触板,其置于该顶板具有该处理垫于其上 之一表面的相对侧,并可电性连接至该导电元件, 该导电接触板具有通过其间之各该等通道的至少 一第二部分。 4.如申请专利范围第3项所述之槽,其中该导电板为 置于形成于该平台组件中的充液层内。 5.如申请专利范围第4项所述之槽,其中该一或多个 导电元件之至少一者具有: 一圆球;以及 一转接器,其系电性连接于该圆球和该导电接触板 之间。 6.如申请专利范围第5项所述之槽,其中该圆球系由 一包覆一导电外层的聚合物所制成。 7.如申请专利范围第2项所述之槽,其中该一或多个 导电元件更包括: 数个圆球,其系用以于制程期间偏压置于该处理表 面上之基材;以及 一容置该等圆球的护罩。 8.如申请专利范围第7项所述之槽,其更包括: 一电解液供应源,其适于流动处理液使之流经该护 罩而至该处理表面。 9.如申请专利范围第3项所述之槽,其中该平台组件 具有: 一底板,其连接至该上表面相对侧之顶板; 一第一电接头,置于该底板内;以及 一第二电接头,置于该接触板内并连接至该等导电 元件,该第一和第二电接头系以公/母配置方式相 连接。 10.如申请专利范围第9项所述之槽,其中该平台组 件更包括: 一密封装置,其系液体隔离该第二电接触和该充液 层。 11.如申请专利范围第10项所述之槽,其中该平台组 件更包括: 一盖板,结合于该接触板相对侧之充液层; 一第一流体埠,配置该盖板中; 一第二流体埠,配置于该底板并对准该第一流体埠 ;以及 一电解液供应源,连接至该第二流体埠。 12.如申请专利范围第2项所述之槽,其中该平台组 件更包括: 一磁性元件,配置于该平台组件内并可吸引该处理 垫朝向该平台组件。 13.如申请专利范围第12项所述之槽,其中该磁性元 件更包括: 一永久磁铁或一电磁铁。 14.如申请专利范围第2项所述之槽,其中该一或多 个导电元件更包括: 一导电上层,其包含至少一选自下列的材料:导电 材料、置于一聚合物基质内的一导电元件或一包 覆导电织布。 15.如申请专利范围第2项所述之槽,其中该垫更包 括: 一上层,其连接至该电极且具有不导电处理表面; 一第一组通孔,其通过该上层以将该电极层暴露于 该处理表面;以及 至少一槽孔,其通过该上层和该电极。 16.如申请专利范围第15项所述之槽,其中该第一组 通孔可暴露出该电极之一上表面。 17.如申请专利范围第16项所述之槽,其中至少一槽 孔为通过该上层和该导电层中心的单一通道。 18.如申请专利范围第15项所述之槽,其更包括夹于 该上层和该电极间的副垫。 19.如申请专利范围第18项所述之槽,其中该副垫、 该导电层和该上层系藉至少一压模、铆接、固定 、黏着及结合的方法相互连接。 20.如申请专利范围第15项所述之槽,其中该电极更 包括数个独立的可偏压电性区域。 21.如申请专利范围第15项所述之槽,其中该上层系 由聚氨酯(polyurethane)所制成。 22.如申请专利范围第15项所述之槽,其中该导电元 件更包括: 一导电材料层。 23.如申请专利范围第15项所述之槽,其中该导电元 件更包括: 一导电材料,置于一聚合物黏着剂层内;以及 一织物层,置于该黏着剂层和该电极之间。 24.一种处理一基材的系统,其具有: 一密闭室(enclosure); 一第一电化学机械制程台,配置于该密闭室内; 一第一处理垫组件,其配置于该第一电化学机械制 程台内且具有一上介电质处理表面,该上介电质处 理表面在一第一基材处理区大致为不导电; 一或多个导电元件,其被暴露以接触该第一处理垫 上的一基材; 一第二电化学机械制程台,其配置于该密闭室内; 一第二处理垫组件,其配置于该第二电化学机械制 程台内并具有一上导电处理表面,该上导电处理表 面在一第二基材处理区大致为导电;以及 一输送机械装置,其可将基材输送于该第一和第二 电化学机械制程台之间。 25.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该第一 处理垫组件具有: 一介电质顶层,其具有上介电处理表面;以及 一电极,配置于该顶层之下。 26.如申请专利范围第25项所述之系统,其中该一或 多个导电元件之至少一者更包括: 一护罩; 一圆球,其系可动地以一垂直于该处理表面的方向 设于该护罩中,且在制程期间其可偏压该置于与该 电极相对之处理表面上的基材; 一接触元件,其配置于护罩内并且可维持与该圆球 的接触;以及 一连接至接触元件的导电转接器。 27.如申请专利范围第26项所述之系统,其中该护罩 和转接器更包括: 一通道,其可使电解液流经其间以接触该第一垫组 件之处理表面。 28.如申请专利范围第26项所述之系统,其更包括: 一导电机壳,其系连接至该护罩之一外表面。 29.如申请专利范围第28项所述之系统,其中该导电 机壳包含至少一选自下列的材料:石墨、导电聚合 物、贵金属或铜。 30.如申请专利范围第24项所述之系统,其更包括: 一介电板,其具有一可支撑该第一处理垫组件之上 表面;以及 一导电接触板,其配置于一凹槽中,该凹槽系形成 于该上表面相对侧之介电板内。 31.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该第一 电化学制程台更包括: 一平台组件,其具有配置于其上的第一处理垫组件 ;以及 一界定于该平台组件内的充液层。 32.如申请专利范围第31项所述之系统,其更包括: 至少一通道,其可液体地连接该充液层至该第一处 理垫组件之该处理表面。 33.如申请专利范围第32项所述之系统,其更包括: 至少一液体供应源,其连接至该充液层以选择性地 提供洗涤和处理液至该第一处理垫组件的处理表 面。 34.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该第二 电化学制程台更包括: 一平台组件,其具有置于其上的第二处理垫组件; 以及 一充液层,其界定于该平台组件内。 35.如申请专利范围第34项所述之系统,其更包括: 至少一通道,其可液体地连接该充液层至第一处理 垫组件之处理表面。 36.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该第二 处理垫组件更包括: 一导电处理物件,其具有由分散于黏着剂之导电填 料制成的处理表面。 37.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该第二 处理垫组件更包括: 一导电处理物件,其具有以包覆一导电材料之一织 布制成的处理表面。 38.如申请专利范围第24项所述之系统,其进一步包 括至少一第三制程台。 39.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该一或 多个导电元件更包括: 一导电上层,其包含至少一种以下材料:导电材料 、一置于一聚合物基质内的导电元件或一包覆导 电织布。 40.一种用于处理一基材的物件,其具有: 一具有不导电处理表面的上层; 一连接至该顶层的导电层; 一第一组通孔,其通过该上层以将该导电层暴露于 处理表面;以及 至少一通过该上层和该导电层的槽孔。 41.一种用于处理一基材的物件,其具有: 一具有不导电处理表面的上层; 一副垫,其连接至该处理垫表面相对侧之上层; 一导电层,其将副垫夹于其和顶层之间,该导电层 具有连接至一电源的一接头; 一第一组通孔,其通过该上层和副垫以使该导电层 暴露于该处理表面;以及 至少一槽孔,其系通过该上层、该副垫和该导电层 。 42.如申请专利范围第41项所述之物件,其中该导电 层更包括数个独立可偏压之电性区域。 图式简单说明: 第1图为一电化学机械研磨设备的平面图; 第2图为第1图设备中之整体ECMP台的剖面图; 第3图为第2图整体ECMP台之研磨组件的部分剖面图; 第4图为具有两个接触组件之整体ECMP台的部分剖 面图; 第5A~B图为接触组件之一实施例的侧面及分解图; 第6图为接触元件的一实施例; 第7图为整体ECMP台另一实施例的透视图; 第8~9图为接触组件的透视图及部分剖面图; 第10图为整体ECMP台另一实施例的分解简单剖面图; 第11图为具有球调整装置之整体ECMP台另一实施例 的简单侧剖面图; 第12图为残留ECMP台一实施例的剖面图; 第13图为具有防蚀护罩之ECMP台一实施例的剖面图 。 |
