| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de collage direct des faces avant (11, 21) de deux substrats (1,2), destinés à être utilisés en l'électronique, en optique ou en opto-électronique, dont l'un au moins comprend une couche de matériau semi-conducteur (1, 13, 2, 20, 23) qui s'étend sur sa face avant (11, 21), ou à proximité de celle-ci.Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à :. soumettre au moins la face avant (11, 21) du substrat comprenant un semi-conducteur ou au moins l'une des faces avant (11, 21) des deux substrats si les deux substrats comprennent un semi-conducteur, à un traitement thermique de préparation avant collage, à une température comprise entre 900 degres C et 1200 degres C, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène et/ou de l'argon, pendant une durée d'au moins 30 secondes,. coller directement l'une contre l'autre, lesdites faces avant (11, 21) respectives des deux substrats à coller (1, 2).
|
