Dünnfilmtransistor, Verfahren zu deren Herstellung, und Anzeigevorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors (TFT) auf einem Substrat beinhaltet das Ausbilden einer Gate-Elektrode; das Ausbilden einer Halbleiterschicht, die von der Gate-Elektrode isoliert ist und teilweise mit der Gate-Elektrode überlappt; aus aufeinander folgende Ausbilden von ersten und zweiten Gate-Isolationsschichten zwischen der Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht, wobei die erste Gate-Isolationsschicht aus einem Material gebildet wird, das sich von dem der zweiten Gate-Isolationsschicht unterscheidet, und wobei mindestens eine der ersten und zweiten Gate-Isolationsschichten eine Sol-Verbindung enthält; und das Ausbilden von Source- und Drain-Elektroden auf beiden Seiten der Halbleiterschicht.