发明名称 薄膜电晶体的制造方法
摘要 一种薄膜电晶体的制造方法,首先于基板上形成闸极。接着,于基板上形成绝缘层,且绝缘层覆盖住闸极。然后,于闸极上方之绝缘层上形成半导体层。接下来,于半导体层上形成源极/汲极。于形成源极/汲极之后,进行一表面处理制程。
申请公布号 TW200805508 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW095125802 申请日期 2006.07.14
申请人 广辉电子股份有限公司 发明人 李豪捷;朱庆云
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚二路189号