发明名称 | 薄膜电晶体的制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜电晶体的制造方法,首先于基板上形成闸极。接着,于基板上形成绝缘层,且绝缘层覆盖住闸极。然后,于闸极上方之绝缘层上形成半导体层。接下来,于半导体层上形成源极/汲极。于形成源极/汲极之后,进行一表面处理制程。 | ||
申请公布号 | TW200805508 | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
申请号 | TW095125802 | 申请日期 | 2006.07.14 |
申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 李豪捷;朱庆云 |
分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚二路189号 |