| 摘要 |
在一形成于一基板上之新颖非挥发性记忆体单元中，使一个二极体与一可逆阻抗物切换材料成对，该可逆阻抗物切换材料较佳为一金属氧化物或氮化物，诸如NixOy、NbxOy、TixOy、HfxOy、AlxOy、MgxOy、CoxOy、CrxOy、VxOy、ZnxOy、ZrxOy、BxNy及AlxNy。在较佳实施例中，将该二极体形成为一安置于导体之间的垂直柱。可堆叠多个记忆体层以形成一整体三维记忆体阵列。在某些实施例中，该二极体包含锗或锗合金，可在相对较低温度下沈积并结晶锗或锗合金，从而允许在该等导体中使用铝或铜。本发明之记忆体单元可用作一可重写记忆体单元或一个一次可程式化记忆体单元，且可储存两个或两个以上之资料状态。 |
