发明名称 一种制作电子装置的方法
摘要 本发明涉及一种制作电子装置的方法,包括以下步骤:提供一基板;在该基板上以导电材料形成一第一长条;将一绝缘层材料涂布于该第一长条及该基板上,并完全覆盖该第一长条及该基板;在该绝缘层材料上并基于该绝缘层材料形成一第二长条;将一导电高分子材料形成于该绝缘层材料上,并完全覆盖该第二长条;以电浆蚀刻方式蚀刻该导电高分子材料,使得该第二长条上的导电高分子材料被完全移除;以及在该第二长条上及该导电高分子材料上形成一半导体层材料。本发明利用绝缘层图案化并搭配干蚀刻(电浆蚀刻)方式来制作一(有机)薄膜晶体管,可达到减少制作步骤以及自动对准的目的。
申请公布号 CN100362413C 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200410080290.1 申请日期 2004.09.29
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 胡堂祥;何家充;黄良莹;李正中
分类号 G02F1/136(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;徐金国
主权项 1.一种制作电子装置的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供一基板;b)在该基板上以导电材料形成一第一长条;c)将一绝缘层材料涂布于该第一长条及该基板上,并完全覆盖该第一长条及该基板;d)在该绝缘层材料上并基于该绝缘层材料形成一第二长条;e)将一导电高分子材料形成于该绝缘层材料上,并完全覆盖该第二长条;f)以电浆蚀刻方式蚀刻该导电高分子材料,使得该第二长条上的导电高分子材料被完全移除;以及g)在该第二长条上及该导电高分子材料上形成一半导体层材料。
地址 台湾省新竹县