| 主权项 |
1.一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其特征在于，根据实际测得的产品平均研磨时间、平均前磨厚度、平均先导光片研磨速率、平均研磨速率和平均厚度控制研磨时间，其研磨时间计算公式如下：<mrow><mi>t</mi><mo>=</mo><mover><mi>t</mi><mo>‾</mo></mover><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><mi>Tp</mi><mo>-</mo><mover><mi>T</mi><mo>‾</mo></mover><mi>p</mi><mo>)</mo></mrow><mo>/</mo><mi>r</mi><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><mo>(</mo><mover><mi>r</mi><mo>‾</mo></mover><mo>-</mo><mi>r</mi><mo>)</mo></mrow><mo>*</mo><mi>m</mi><mo>)</mo></mrow><mo>/</mo><mover><mi>R</mi><mo>‾</mo></mover><mo>*</mo><mover><mi>t</mi><mo>‾</mo></mover><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><mover><mi>T</mi><mo>‾</mo></mover><mi>post</mi><mo>-</mo><mi>Tt</mi><mo>)</mo></mrow><mo>/</mo><mn>2</mn><mi>r</mi></mrow> 其中：是前5～10个批次产品的平均研磨时间；是前5～10个批次产品的平均前膜厚度；是前5～10个批次产品的平均先导光片研磨速率；是前5～10个批次产品的平均研磨速率；是前5～10个批次产品的平均厚度，m是光片研磨速率、制品研磨速率变化的修正因子m＝1.0+/-0.4。 |
