具有高效率发光效果之发光二极体晶片封装结构

摘要

一种具有高效率发光效果之发光二极体晶片封装结构，其包括：一基板单元(substrate unit)、一发光单元(light-emitting unit)、及一封装胶体单元(package colloid unit)。其中，该基板单元系具有一基板本体(substrate body)、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹(positiveelectrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)。该发光单元系具有复数个设置于该基板本体上之发光二极体晶片(LED chip)，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端(positive electrode side)与一负极端(negativeelectrode side)。该封装胶体单元系具有复数个分别覆盖于该等发光二极体晶片上之封装胶体(package colloid)。

主权项

1.一种具有高效率发光效果之发光二极体晶片封 装结构,其包括: 一基板单元; 一发光单元,其具有复数个电性连接地设置于该基 板单元上之发光二极体晶片;以及 一封装胶体单元,其具有复数个分别覆盖于该等发 光二极体晶片上之封装胶体。 2.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板单元系 为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷 基板、或一铜基板。 3.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板单元系 具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之 一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。 4.如申请专利范围第3项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该基板本体系 包括一金属层及一成形在该金属层上之电木层( bakelite layer)。 5.如申请专利范围第3项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该正、负极导 电轨迹系为铝线路或银线路。 6.如申请专利范围第3项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发光二 极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正 、负极导电轨迹之一正极端与一负极端。 7.如申请专利范围第6项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发光二 极体晶片之正、负极端系透过两相对应之导线并 以打线(wire-bounding)的方式,以与该正、负极导电轨 迹产生电性连接。 8.如申请专利范围第6项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个发光二 极体晶片之正、负极端系透过复数个相对应之锡 球并以覆晶(flip-chip)的方式,以与该正、负极导电 轨迹产生电性连接。 9.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该等发光二极 体晶片系以一直线的排列方式设置于该基板单元 上。 10.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中该等发光二极 体晶片系以复数条直线的排列方式设置于该基板 单元上。 11.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个封装胶 体系为由一矽胶(silicon)与一萤光粉(fluorescent powder )所混合形成之萤光胶体(fluorescent resin)。 12.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,其中每一个封装胶 体系为由一环氧树脂(epoxy)与一萤光粉(fluorescent powder)所混合形成之萤光胶体(fluorescent resin)。 13.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,更进一步包括:一 框架单元,其系为一层覆盖于该基板单元上及包覆 每一个封装胶体四周之框架层,以露出每一个封装 胶体之上表面。 14.如申请专利范围第13项所述之具有高效率发光 效果之发光二极体晶片封装结构,其中该框架层系 为不透光框架层(opaque frame layer)。 15.如申请专利范围第14项所述之具有高效率发光 效果之发光二极体晶片封装结构,其中该不透光框 架层系为白色框架层(white frame layer)。 16.如申请专利范围第1项所述之具有高效率发光效 果之发光二极体晶片封装结构,更进一步包括:一 框架单元,其具有复数个分别围绕该等封装胶体之 框体,以分别露出每一个封装胶体之上表面,其中 该等框体系彼此分离地(separately)设置于该基板单 元上。 17.如申请专利范围第16项所述之具有高效率发光 效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等框体系 为不透光框体(opaque frame body)。 18.如申请专利范围第17项所述之具有高效率发光 效果之发光二极体晶片封装结构,其中该等不透光 框体系为白色框体(white frame body)。 图式简单说明: 第一图系为习知发光二极体之第一种封装方法之 流程图; 第二图系为习知发光二极体之第二种封装方法之 流程图; 第三图系为本创作封装方法之第一实施例之流程 图; 第三a图至第三d图分别为本创作封装结构之第一 实施例之封装流程立体示意图; 第三A图至第三D图分别为本创作封装结构之第一 实施例之封装流程剖面示意图; 第四图系为本创作发光二极体晶片透过覆晶(flip- chip).的方式达成电性连接之示意图; 第五图系为本创作封装方法之第二实施例之流程 图; 第五a图至第五c图分别为本创作封装结构之第二 实施例之部分封装流程立体示意图; 第五A图至第五C图分别为本创作封装结构之第二 实施例之部分封装流程剖面示意图; 第六图系为本创作封装方法之第三实施例之流程 图; 第六a图至第六b图分别为本创作封装结构之第三 实施例之部分封装流程立体示意图;以及 第六A图至第六B图分别为本创作封装结构之第三 实施例之部分封装流程剖面示意图。