| 主权项 |
1.一种使用在GSM手机的集成功率控制积体电路,这 个积体电路: -使用一个电晶体的集极作为讯号输入端,电晶体 的射极接地,电晶体的基极分接至一个电阻和第二 个电晶体的基极,电阻的另一端接至电压源; -第二个电晶体的射极接地,其集极分接至一个电 阻和第三个电晶体的基极,电阻的另一端接至电压 源; -第三个电晶体的射极接地,其集极分接至一个电 阻和一个二极体的阳极,电阻的另一端接至电压源 ; -二极体的阴极分接至一个电阻和第四个电晶体的 射极,电阻的另一端接地; -第四个电晶体的基极接至一个电阻,电阻的另一 端接至手机系统提供之VRAMP斜坡控制讯号,其集极 分接至一个电阻和第五个电晶体的基极,电阻的另 一端接至电压源; -第五个电晶体的射极接地,其集极分接至一个电 阻和射频功率放大器偏压控制输出端,电阻的另一 端接至电压源。 2.如申请专利范围第1项之积体电路,其系为使用砷 化镓(Gallium Arsenide)的异质结双载子电晶体( Heterojunction Bipolar Transistor)之制程。 3.一种使用在GSM手机的集成功率控制(Integrated Power Control)的电路设计方法,这个设计方法是: -使用一个最后一级具有射极电阻之射频功率放大 器积体电路以及需使用申请专利范围第1项之功率 控制积体电路; -将放大器其射极电阻接至射极的那一端,接至申 请专利范围第1项之功率控制积体电路之讯号输入 端; -使用申请专利范围第1项之功率控制积体电路之 偏压控制输出端接至射频功率放大器之所有基极 输入端,然后将此两个积体电路整合成一个单一积 体电路。 4.如申请专利范围第3项之电路设计方法,其射频功 率放大器系为使用砷化镓(Gallium Arsenide)的异质结 双载子电晶体(Heterojunction Bipolar Transistor)之制程 。 图式简单说明: 图一 为使用本发明之射频功率放大模组之功能方 块图。 图二 为本发明之电流感测式集成功率控制的积体 电路之电路图。 图三 射频功率放大模组之功能方块图。 图四 为RFMD专利之集成功率控制的设计电路示意 图。 图五 为运用功率感测原理之集成功率控制的设计 电路示意图。 图六 为运用电流感测原理之集成功率控制的设计 电路示意图。 |
