METHOD FOR CREATING MICRO NEEDLES IN A SI SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikronadeln in einem Si-Halbleitersubstrat, umfassend die folgenden Schritte: a) Aufbringen einer zusammenhängenden Maskierungsschicht (1) auf der äusseren Oberfläche eines Si-Halbleitersubstrats (6); b) Strukturieren der Maskierungsschicht (1), wobei in der Maskierungsschicht (1) eine Vielzahl diskreter durchgehender Löcher (2) mit einem Durchmesser im Bereich von = 0,5 µm bis = 100 µm ausgebildet werden; c) Erzeugen von Ausnehmungen (8) in dem Si-Halbleitersubstrat (6) durch isotropes Ätzen, indem Ätzmittel durch die diskreten Löcher (2) in der Maskierungsschicht (1) hindurchtritt, wobei die Ausnehmungen ausgehend von den diskreten Löchern (2) radial geätzt werden, wobei das Verhältnis von Ätztiefe zu seitlicher Unterätzweite der erzeugten Ausnehmungen (8) im Bereich von 1: 1 bis 4: 1 liegt; d) Abbrechen des Ätzvorgangs nachdem sich Mikronadeln mit mehreckigen Spitzen zwischen benachbarten Löchern (2) ausgebildet haben; e) optional Abtrennen oder Vereinzeln der Mikronadeln von dem Si- Halbleitersubstat (6).