| 摘要 |
Es werden ein Flüssigkristalldisplay und ein Verfahren zum Herstellen desselben offenbart. Das Verfahren zum Herstellen eines Flüssigkristalldisplays beinhaltet Folgendes: Bereitstellen eines isolierenden Substrats, das einen Pixelabschnitt bildet, der in einen Dünnschichttransistorbereich und einen Speicherbereich unterteilt ist; sequenzielles Herstellen eines Films aus polykristallinem Silicium und eines Speicherelektrodenfilms auf einer gesamten Oberfläche des Substrats; selektives Strukturieren des Speicherelektrodenfilms und des Films aus polykristallinem Silicium, um ein den Pixelabschnitt bedeckendes Pixelmuster auszubilden; und selektives Entfernen des Speicherelektrodenfilms auf dem Dünnschichttransistorbereich aus dem Pixelmuster, um im Speicherbereich eine Speicherelektrode auszubilden und um gleichzeitig im Dünnschichttransistorbereich eine erste aktive Schicht auszubilden, die aus einem durch die Speicherelektrode freigelegten Film aus polykristallinem Silicium besteht. Da die aktive Schicht und die Speicherelektrode durch Beugungsbelichtung unter Verwendung einer einzelnen Maske hergestellt werden, kann die Anzahl der bei der Herstellung eines Dünnschichttransistors verwendeten Masken verringert werden, um die Herstellprozessschritte zu verringern und die Herstellkosten zu senken. |
