| 发明名称 | 绝缘体上硅及其制备工艺 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上硅的制备工艺，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层与衬底硅层相邻；在半导体晶片上形成第二绝缘层；将硅片和半导体晶片键合，其中硅片上的绝缘层和半导体晶片上的第二绝缘层相接触；加固键合后的硅片和半导体晶片；去除衬底硅层；去除腐蚀阻挡层。上述方法生成的绝缘体上硅隐埋绝缘层质量高，绝缘性能好，厚度可随意调节，顶层硅厚度的均匀性好。 | ||
| 申请公布号 | CN101101891A | 申请公布日期 | 2008.01.09 |
| 申请号 | CN200610028767.0 | 申请日期 | 2006.07.07 |
| 申请人 | 上海新傲科技有限公司;国际O&A半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈猛 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上硅的制备工艺，其特征在于，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层与衬底硅层相邻；在半导体晶片上形成第二绝缘层；将硅片和半导体晶片键合，其中硅片上的绝缘层和半导体晶片上的第二绝缘层相接触；加固键合后的硅片和半导体晶片；去除衬底硅层；去除腐蚀阻挡层。 | ||
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||