具有沟渠绝缘的半导体电路装置及其制造方法

摘要

本发明涉及具有沟渠绝缘的半导体电路装置及其制造方法。根据本发明地一种电路装置，具有一个穿过一个电荷存储层(18)及一个掺杂半导体层(14)的沟渠。这个沟渠同时具有多种不同的作用，包括在相邻的组件之间形成绝缘的作用、将电荷存储层结构化的作用、以及将掺杂半导体层(14)区隔为不同区段的作用。

主权项

1.一种半导体电路装置(76)，具有一个衬底(10)，在此衬底(10)上按照给定的顺序依次承载：-第一种导电型的一个掺杂半导体层(14)，-一个电绝缘层(16)，-一个适于用来储存电荷的导电或电绝缘的电荷存储层(18)，所述半导体电路装置至少具有一个深沟渠(32)，所述深沟渠(32)穿过电荷存储层(18)并延伸至掺杂半导体层(14)内，并且具有至少一个比所述穿过电荷存储层(18)的深沟渠(32)的深度较浅但宽度较大的浅沟渠(100)，所述浅沟渠(100)设置在所述第一种导电型的半导体层(14)中。