发明名称 | 一种限流保护开关 | ||
摘要 | 本实用新型公开一种限流保护开关,具体说是能对工作电流进行保护的限流保护开关。它含有一个三极管、一个场效应管、两个电阻,其中的两个电阻和为两段多晶硅线段。所说场效应管是MOS型场效应管。三极管T的发射极与电源正极相连,电源正极通过一个电阻与场效应管的源极相接,三极管的基极亦接在场效应管的源极上。另一个电阻接在三极管的集电极与地之间,而场效应管的栅极则接在三极管的集电极上,其漏极作为信号输出端。这种限流保护开关,其采样电阻精度高误差小,结构简单、体积小。适用于需要对工作电流进行保护的各种集成电路中。 | ||
申请公布号 | CN201001030Y | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
申请号 | CN200720033608.X | 申请日期 | 2007.01.15 |
申请人 | 无锡硅动力微电子股份有限公司 | 发明人 | 周烨;丁国华;胡斌;贺洁;周金风 |
分类号 | H02H7/20(2006.01) | 主分类号 | H02H7/20(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.一种限流保护开关,其特征在于由一个三极管(T)、一个场效应管(P)和两个电阻(r1和r2)组成,其中的两个电阻(r1和r2)为两段多晶硅线段;三极管(T)的发射极与电源(VCC)相连,电源(VCC)通过一个电阻(r1)与场效应管(P)的源极相接,三极管(T)的基极亦接在场效应管(P)的源极上;另一个电阻(r2)接在三极管(T)的集电极与地(GND)之间,而场效应管(P)的栅极则接在三极管(T)的集电极上,其漏极作为信号输出端(CD)。 | ||
地址 | 214028江苏省无锡市无锡新区珠江路51号 |