应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法

摘要

一种应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法，于玻璃基板预定形成源极和漏极处先镀上金属图案再覆以非晶硅膜，使源极和漏极中间的预定栅极区域形成诱发侧向结晶生长区域，以形成多晶硅退火结构；并进一步结合准分子激光退火，准分子激光由另一表面穿透玻璃基板使非晶硅膜吸收准分子激光束的能量以形成熔融状态，而镀有金属层的区域则反射大部分准分子激光束，使非晶硅膜产生温度梯度，以诱发侧向结晶生长，在有源区域内形成优选的结晶结构，提升薄膜晶体管的性能。

主权项

1.一种应用于薄膜晶体管的多晶硅退火方法，其步骤包括：提供一基板；于该基板的一表面形成一金属图案，并预定该金属图案为形成薄膜晶体管的源极和漏极的位置；披覆一非晶硅膜于该基板，同时覆盖该金属图案；提供一准分子激光束以投射于该基板的另一表面，并穿透该基板使该非晶硅膜吸收该准分子激光束的能量以形成熔融状态，其中镀有该金属图案的区域则反射大部分准分子激光束；及再结晶该非晶硅膜以形成一多晶硅薄膜，该金属图案的间隙的非晶硅膜形成一温度梯度诱发侧向结晶生长区域，该温度梯度诱发侧向结晶生长区域缓慢地降温，以使该非晶硅膜由接近该金属图案之处成核，并向该温度梯度诱发侧向结晶生长区域持续进行侧向结晶至完成该多晶硅薄膜。