| 发明名称 | 一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明所述的一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法，首先基于等离子体刻蚀工艺过程中状态变迁情况建立马尔可夫模型；其次在进行等离子体刻蚀过程中，获得相应的状态变迁图谱；最后将状态变迁图谱与马尔可夫模型比较，确定刻蚀工艺的终点。可以准确可靠的找到刻蚀终点，控制刻蚀过程，提高刻蚀质量。 | ||
| 申请公布号 | CN100359660C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200510002965.5 | 申请日期 | 2005.01.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 许仕龙 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明 |
| 主权项 | 1、一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法，其特征在于，包括：A、基于等离子体刻蚀工艺过程中状态变迁情况建立隐马尔可夫模型；B、在进行等离子体刻蚀过程中，获得相应的状态变迁图谱；C、将所述的状态变迁图谱与所述的隐马尔可夫模型比较，确定刻蚀工艺的终点。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||