| 发明名称 | 模块式半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度t<SUB>b</SUB>对焊料的厚度t<SUB>s</SUB>的比率t<SUB>b</SUB>/t<SUB>s</SUB>在6.7-80的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN100359674C | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN99123411.1 | 申请日期 | 1999.11.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 田中明;山本敦史;草野贵史;西村隆宣;荒木浩二;福吉宽;石渡裕;奥富功 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01);H01L23/12(2006.01) | 主分类号 | H01L23/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种模块式半导体器件，它包含：绝缘陶瓷层(1)；连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层(2)；连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层(3)；连接在第一导电层上的半导体元件(5)；以及通过焊料(6a)连接在第二导电层上的导热底座(7a)，其中，导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||