| 发明名称 | 包括n+界面层的可变电阻随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101097988A | 申请公布日期 | 2008.01.02 |
| 申请号 | CN200610160399.5 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵重来;李殷洪;斯蒂法诺维奇·金瑞克;埃尔·M·鲍里姆 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种可变电阻随机存取存储器，包括：下电极；n+界面层，形成在所述下电极上；形成在所述n+界面层上的缓冲层；氧化物层，其形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性；及上电极，形成在所述氧化物层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||