发明名称 高辉度发光二极体微结构封装
摘要 本创作为一种高辉度发光二极体微结构封装,系针对发光二极体聚光能力与散热能力等问题,而将高辉度发光二极体微结构封装为多阶梯状,藉多阶梯状使得光会向四周扩散,在高辉度发光二极体微结构封装内部产生绕射现象,以维持良好之聚光亮度与散射光所构成之辉度,并具有良好散热能力。
申请公布号 TWM324851 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096211693 申请日期 2007.07.18
申请人 王静仪 发明人 谢其昌;王静仪;颜仲崑;李彦辉;刘志盛;张建智
分类号 H01L33/00(200601120200601) 主分类号 H01L33/00(200601120200601)
代理机构 代理人 李文祯 台南市中西区府前路2段239号2楼
主权项 1.一种高辉度发光二极体微结构封装,系包括:包覆 层及透镜层,其中,该包覆层填充于该高辉度发光 二极体微结构封装中,该透镜层系覆盖于该包覆层 之上表面,系设计为多阶梯状,各阶梯系等高,其等 高之阶梯系自剖面的顶端沿中心线至曲线两端之 中心取等高之阶梯。 2.如申请专利范围第1项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中该透镜层系为半圆球状。 3.如申请专利范围第1项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中该透镜层系为非半圆球状。 4.如申请专利范围第3项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中该非半圆球状之透镜层系为抛物 线图形。 5.如申请专利范围第1项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中,该包覆层为高分子填充材料,系 为环氧树脂、矽胶、树脂其中任一种或其组合。 6.如申请专利范围第1项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中,该透镜层为透光性材料,系为玻 璃或高透光性树脂。 7.如申请专利范围第6项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中,该透镜层之高透光性树脂,系为 环氧树脂、压克力、矽胶其中任一种或其组合。 8.如申请专利范围第1项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,其中,该高辉度发光二极体微结构封 装内,系设有发光二极体晶片,该发光二极体晶片 之发光角之角度发光二极体之发光角大小系为0~30 。 9.如申请专利范围第8项所述之高辉度发光二极体 微结构封装,系提升照度70%以上,且光射出之扩散 角为+15至-15。 图式简单说明: 第一图 本创作之第一实施例上视图及正视图。 第二图 本创作之第二实施例上视图及正视图。 第三图 本创作之第一实施例使用示意图。 第四图 本创作之第二实施例使用示意图。 第五图 习知发光二极体封装结构示意图。 第六图 习知半圆球状封装罩体上视图及正视图。 第七图 习知非半圆球状封装罩体上视图及正视图 。
地址 台中县清水镇民享一街58号