| 主权项 |
1.一种气体分布平板的制造方法,该气体分布平板 供用于一电浆蚀刻反应室中,该制造方法至少包含 : 提供一平板,该平板之材质为一金属; 形成复数个气孔位于该平板上;以及 对该平板之表面进行一阳极处理,其中该阳极处理 系选自于由硫酸阳极处理及草酸阳极处理所组成 之群组,藉由该阳极处理使该平板以及该些气孔能 够抵抗电浆蚀刻之侵蚀。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金 属之材质至少包含铝。 3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该硫 酸阳极处理之条件为在硫酸中,浴温0~3℃、电流密 度2~2.5A/dm2、电压20~60V以及时间60~200分钟。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该平 板之直径为243mm,且该平板之厚度为4.5mm。 5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该平 板之表面经过该阳极处理之膜厚为13m。 6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些 气孔之排列方式系环绕该平板之中心作放射状之 排列。 7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些 气孔之数量为88个,共分为八组,环绕该平板之中心 作放射状之排列。 8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该气 孔之尺寸为0.8mm。 9.一种电浆蚀刻机台,该电浆蚀刻机台至少包含: 一电浆蚀刻反应室; 一气体分布平板,该气体分布平板系安装在该电浆 蚀刻反应室之一室壁衬垫之上方,复数个气孔位于 该气体分布平板上以分布一制程气体,该些气孔之 排列方式系环绕该气体分布平板之中心作放射状 之排列,该气体分布平板之材质为一金属,其中该 平板之表面经过一阳极处理,该阳极处理使该气体 分布平板以及该些气孔能够抵抗电浆蚀刻之侵蚀; 以及 一电极板,该电极板系安装在电浆蚀刻反应室内且 位于该气体分布平板之下方,用以放置一晶圆以进 行电浆蚀刻。 10.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该金属之材质至少包含铝。 11.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该阳极处理为一硫酸阳极处理。 12.如申请专利范围第11项所述之电浆蚀刻机台,其 中该硫酸阳极处理之条件为在硫酸中,浴温0~3℃、 电流密度2~2.5A/dm2、电压20~60V以及时间60~200分钟。 13.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该气体分布平板之直径为243mm,且该气体分布平 板之厚度为4.5mm。 14.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该气体分布平板之表面经过该阳极处理之膜厚 为13m。 15.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该些气孔之数量为88个,共分为八组,环绕该气体 分布平板之中心作放射状之排列。 16.如申请专利范围第9项所述之电浆蚀刻机台,其 中该气孔之尺寸为0.8 mm。 图式简单说明: 第1图是习知平行板式电浆蚀刻反应室的构造示意 图。 第2图系绘示依照本发明一较佳实施例的上视图。 |
