具受限旋电掺杂质之旋电元件之制作方法

摘要

一种旋电元件之制作方法，其可包含形成至少一超晶格与耦接至该至少一超晶格之至少一电接触，该至少一超晶格包含复数个层群组。其每一层群组各可包含界定了具有晶体晶格之一基底半导体部份之复数个堆叠半导体单层，被限定在相邻基底半导体部份之晶体晶格内的至少一非半导体单层，与一旋电掺杂质。旋电掺杂质可被该至少一非半导体单层限定在基底半导体部份之晶体晶格内。在某些实施例之中，超晶格的重覆结构可能不必要。