| 摘要 |
经由取得半导体装置之不良观察画像 P2 的检查资讯取得部１１；和取得布局（LAYOUT）资讯之布局资讯取得部１２；和进行不良解析之不良解析部１３，而构成不良解析装置１０。不良解析部１３，系从半导体装置之复数的网线之中，抽取出通过由不良观察画像所设定的复数之解析区域中的至少１个区域之候补网线，以及此候补网线之通过解析区域的通过次数，并将通过次数最多的候补网线，作为第１的不良网线而选择之，同时注目于第１的不良网线所未通过之解析区域，进行第２的不良网线之选择。藉由此，能实现一种：可使用不良观察画像而确实且有效率地进行对半导体装置之不良的解析之半导体不良解析装置、不良解析方法、以及不良解析程式。 |
