| 摘要 |
本发明提供包括阻障层复联特征结构（barrier-redundancy feature）的内连线结构，其可避免在电避移（EM）失效后的突然开路，本发明亦提供此内连线结构之形成方法。根据本发明，阻障层复联特征结构系位于内连线结构的预选位置，包括位于宽线区域、细线区域或其任何组合。阻障层复联特征结构包一导电材料，其位于传导线之传导线阻障层以及上方通孔之通孔扩散阻阵层之间，并与该些阻障层接触。本发明之阻障层复联特征结构的存在系产生在沿着通孔侧壁之通孔扩散阻障层以及沿着传导线侧壁之传导线扩散阻障层之间的电气路径。藉由本发明之阻障层复联特征结构所产生之电气路径可避免在通孔底部因电迁移失效所造成之突然开路。在内连线结构中存在本发明之阻障层复联特征结构系提供晶片替换或系统操作的充分时间。 |
