提高萧特基崩溃电压而不改变布局之金氧半导体场效电晶体-萧特基积体元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体功率元件，其系包括具有复数电晶体晶胞之一主动晶胞区以及一接面阻障萧特基（JBS）区。该半导体功率元件之JBS区更包括复数萧特基二极体，其中每一萧特基二极体均具有PN接面，其系配置在半导体基板顶端之磊晶层上，而PN接面尚包括设于磊晶层内之反掺杂区，以降低邻近PN接面掺杂浓度之突然反向，防止PN接面提早崩溃。