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发明名称
半导体发光元件及其制造方法
摘要
本发明系提供一种覆晶式半导体发光元件,其包含一基材以及一半导体多层结构。该半导体多层结构具有一第一表面以及相对于该第一表面之一第二表面,并且该半导体多层结构系以该第一表面接合于该基材之一表面上,并且该第二表面具有复数个凸点,该复数个凸点系呈周期性排列。
申请公布号
TW200802980
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096113152
申请日期
2007.04.13
申请人
联胜光电股份有限公司
发明人
黄国欣
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
陶霖
主权项
地址
台中县大雅乡科雅路33号5楼
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