单结晶钻石成长用基材之制造方法

摘要

一种能更确实地使单结晶钻石成长之单结晶钻石成长用基材之制造方法。一种单结晶钻石成长用基材之制造方法，包含对于钻石成长前之基材预先进行偏压处理，藉由以基材侧电极作为阴极之直流放电而形成钻石核，其特征在于：该处理中，至少保持偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止之基材温度为800°C±60°C。