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发明名称
用于半导体记忆装置之高电压检测电路及其控制方法
摘要
本发明提供一种能够在半导体记忆装置之自我再新操作期间减少电流消耗并减少高电压中之涟波的高电压检测电路及其控制方法。该高电压检测电路之一实施例包括:一反馈单元,其反馈一高电压;一参考电压接收单元,其接收一参考电压;及一检测信号产生单元,其比较自该反馈单元及该参考电压接收单元接收到的输出电压且根据比较之结果产生一检测信号。
申请公布号
TW200802397
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096115741
申请日期
2007.05.03
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
梁甲
分类号
G11C29/50(2006.01)
主分类号
G11C29/50(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文;林嘉兴
主权项
地址
韩国
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