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发明名称
使用单埠记忆胞元之双埠SRAM记忆方法及装置METHOD AND APPARATUS FOR DUAL-PORT SRAM MEMORY USING SINGLE-PORT MEMORY CELL
摘要
一种双埠记忆系统系使用单埠记忆胞元来实施。具有一同步电路的一存取仲裁器是用来优先化及同步化与该两埠相关的该存取要求。该单埠记忆胞元需重清的例子中,该存取仲裁器亦可优先化及同步化重清要求。对该两埠及该重清要求的存取要求可为非同步。当一列存取信号(RAS)被致动时,该存取仲裁器透过将该要求栓入第一阶暂存器,接着于一选择延迟之后将该第一阶暂存器的内容栓入第二阶暂存器来同步化该各种要求。
申请公布号
TW200802372
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096119850
申请日期
2007.06.01
申请人
统一系统科技股份有限公司
发明人
梁温育
分类号
G11C11/401(2006.01)
主分类号
G11C11/401(2006.01)
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
美国
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